Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
№ 3 (2012)
Скачать выпуск PDF
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3

Материаловедение и технология. Полупроводники

10-17 444
Аннотация

Исследованы образцы объемного наноструктурированного материала на основе твердого раствора BixSb1−xTe3, полученного методом искрового плазменного спекания. Исходные порошки с размером частиц 10—12 нм изготовлены помолом в шаровой мельнице. С помощью методов рентгеновской дифрактометрии, растровой и просвечивающей (в том числе высокого разрешения) электронной микроскопии изучены закономерности изменения тонкой структуры в зависимости от температуры спекания в интервале 250—550 °С. Впервые установлено, что размеры областей когерентного рассеяния не возрастают монотонно с ростом температуры спекания, а при температуре выше 400 °С происходит их измельчение в результате процесса повторной рекристаллизации. Наиболее вероятно, что изменения структуры связаны с перераспределением собственных структурных дефектов вакансионного типа в процессе спекания образцов.

18-21 473
Аннотация

Исследована зависимость термоэлектрических свойств наноструктурированного объемного
материала (Bi,Sb)2Te3 от состава и температуры SPS−спекания ТSPS. Обнаружено, что твердый
раствор Bi0,4Sb1,6Te3, спеченный при температуре 450—500 °С, имеет термоэлектрическую
эффективность ZT = 1,25÷1,28. Зависимость термоэлектрических свойств от температуры
спекания ТSPS выше 400 °С коррелирует с изменением тонкой структуры материала, которое
определяется перераспределением донорных точечныхдефектов вакансионного типа в
процессе повторной рекристаллизации. Установлено, что точечные структурные дефекты вносят
существенный вклад в формирование термоэлектрическихсвойств наноструктурированного
материала.

Материаловедение и технология. Диэлектрики

22-25 385
Аннотация

В режиме силовой микроскопии пьезоотклика исследована угловая зависимость латеральной
составляющей пьезоотклика в монокристаллах ниобата лития Y−среза, содержащих регулярную доменную структуру. Показано, что визуализация доменной структуры определяется ориентацией X−направления кристалла относительно направления сканирования: наибольший контраст между доменами с противоположной ориентацией векторов поляризации имеет место при расположении вдоль одной прямой X−направления и направления сканирования.

25-28 423
Аннотация

Представлены результаты исследования многокомпонентных пьезоэлектрических кристаллов группы лантангаллиевого силиката (лангасита). Изучены процессы синтеза и структура кристаллов. С использованием методов рентгеновской топографии и дифрактометрии исследованы акустические свойства
кристаллов. Продемонстрирована возможность применения этих пьезоэлектрических кристаллов в
высокотемпературных сенсорных устройствах на поверхностных акустических волнах.

Материаловедение и технология. Магнитные материалы

29-34 348
Аннотация

Представлены результаты исследования коэрцитивной силы, оптического поглощения и рассогласования параметров кристаллических решеток в монокристаллических эпитаксиальных пленках ферритов−гранатов. Показано, что причиной высоких значений коэрцитивной силы и оптического поглощения являются напряжения несоответствия решеток и кислородные вакансии, компенсирующие катионы
Ca2+. Предложены методы индуцирования высококоэрцитивного состояния в Bi−содержащих
гранатовых пленках путем легирования ионами двухвалентной примеси, за счет напряжений несоответствия и с помощью обработки в отрицательном коронном разряде. Проведено сравнение предложенных методов и анализ их достоинств и недостатков.

Моделирование процессов и материалов

35-40 378
Аннотация

Для процесса экструзии композиционного материала предложена математическая
модель и на ее основе рассмотрены основные особенности напряженно−деформированного
состояния получаемого стержня. Заданы геометрические параметры фильеры и скорость перемещения Пуансона. Расчетная модель основана на совместном использовании приближений
упругопластического тела. Численная методика использует конечно−элементную аппроксимацию на лагранжевой сетке, которая меняется во времени с изменением формы образца. Для этого применена адаптивная генерация сеточных узлов в зонах больших напряжений и деформаций образца. Расчеты проведены с использованием комплекса программ Crystmo/Marc. На примере термоэлектрического композита на основе Bi2Te3 изучены основные особенности напряженно−деформированного состояния материала, полученного на разных стадиях процесса экструзии.

40-44 348
Аннотация

Рассмотрен поиск аналитического решения стационарной задачи поведения лавинного тока
в сильных электрических полях при наличии центров генерации и рекомбинации. Представлены
вольт−амперные характеристики для p—i—n−структуры. Полученные результаты объясняют
образование пространственных структур и гистерезис в сильных электрических полях.

Эпитаксиальные слои и многослойные композиции

45-48 457
Аннотация

Проведены исследования характеристик тестовых тиристорных структур на основе выращенного
методом Чохральского Si<P,Ge>, подвергнутых γ−облучению. Обнаружена существенно бόльшая
радиационная стойкость этих приборов по сравнению с полученными в аналогичных условиях
контрольными структурами, изготовленными на монокристаллах кремния, не легированных германием.

48-50 401
Аннотация
Методом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge, представляющие собой первый каскад трехкаскадных солнечных элементов AIIIBV/Ge.
P—n−переход сформирован диффузией фосфора в германий, легированный галлием. Методом ВИМС получены профили фосфора и галлия в германии. Показано, что изменение потока фосфина не влияет на характер распределения фосфора и глубину p—n−перехода в германиевом каскаде.
50-53 384
Аннотация

Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении плотности тока. Определены причины, влияющие на этот эффект. Показаны способы
уменьшения падения квантового выхода и положительные результаты применения кремниевых
подложек в многокомпонентных наногетероструктурах для InGaN светоизлучающих диодов.

Наноматериалы и нанотехнологии

54-59 359
Аннотация

Электролитическим травлением в смешанном органо−неорганическом электролите
получены слои нанопористого и нанотрубчатого оксида титана. Процесс формирования слоев
исследован in−situ методом электрохимической импедансной спектроскопии. Показано, что за
исключением начального периода практически в течение всего процесса импеданс электролитической ячейки определяется импедансом контакта электро лита и оксида титана на дне нанопористого и нанотрубчатого слоев. Обнаружено, что электрическое сопротивление области пространственного заряда в
слое оксида титана выше, чем сопротивление переноса заряда на границе раздела электролит/TiOx. Это свидетельствует о том, что скорость роста пористого и нанотрубчатого слоев, полученных травлением в органо− неорганическом электролите, ограничена переносом ионов титана и кислорода через слой оксида, а не диффузией ионов в электролите.

59-67 422
Аннотация

Для развития электроники предложены новые материалы на основе углеродного нанокристаллического материала и металлоуглеродных нанокомпозитов, которые обладают особыми свойствами и перспективны для
использования при изготовлении электронных, электрохимических, сенсорных устройств и катализаторов

Атомные структуры и методы структурных исследований

68-71 389
Аннотация

Методом рентгеновской дифракции высокого разрешения и обратного розерфордовского рассеяния изучены структуры «кремний−на−изоляторе» (КНИ), облученные ионами Ar+ с энергией 100 кэВ и дозами 2 · 1013 и 4 · 1013 см−2. Такой выбор энергии облучения позволил разместить максимум проективного пробега имплантируемых ионов вблизи середины слоя кремния КНИ и минимизировать возможные изменения электрического и упругого силовых полей встроенного диэлектрика в процессе
облучения. В таких же условиях осуществлена имплантация при одновременном подсвечивании образцов УФ−лампой интенсивностью 25 мВт ⋅ см−2 (фотовозбуждение in situ). Установлено, что в случае малых доз
фотовозбуждение способствует кластерообразованию как вблизи поверхности образца, так и в области максимума деформации. При дозе 4 ⋅ 1013 ат/см2, когда начинается аморфизация поверхности образца, фотовозбуждение уже не влияет на характер распределения радиационных дефектов. В приповерхностной
области фотовозбуждение способствует стоку межузельных дефектов на поверхность.

72-78 409
Аннотация

Рассмотрены возможности использования дифрактометра XMD−300 при трех схемах съемки: скользящего первичного пучка, скользящего дифрагированного пучка, схемы θ—2θ для исследования кристаллического совершенства полупроводниковых гетероструктур (кремний−на−сапфире, кремний−на−
изоляторе, ионно−легированные слои кремния, структуры AlGaN/GaN/Si). Показано, что измерения с использованием трех схем в рассеянном излучении и при точном соблюдении условия брегговской дифракции позволяют получить интерференционную картину дифракции одновременно от кристаллических решеток нескольких слоев гетероструктуры и интерференционные пики максимальной интенсивности
для каждого отдельного слоя.



Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)