Для цитирования:

Рабинович О.И., Сушков В.П. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):50-53. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-50-53

For citation:

Rabinovich O.I., Sushkov V.P. Quantum efficiency simulation of InGaN/Si LED. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):50-53. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-50-53