ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ»


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-68-71

Полный текст:


Аннотация

Методом рентгеновской дифракции высокого разрешения и обратного розерфордовского рассеяния изучены структуры «кремний−на−изоляторе» (КНИ), облученные ионами Ar+ с энергией 100 кэВ и дозами 2 · 1013 и 4 · 1013 см−2. Такой выбор энергии облучения позволил разместить максимум проективного пробега имплантируемых ионов вблизи середины слоя кремния КНИ и минимизировать возможные изменения электрического и упругого силовых полей встроенного диэлектрика в процессе
облучения. В таких же условиях осуществлена имплантация при одновременном подсвечивании образцов УФ−лампой интенсивностью 25 мВт ⋅ см−2 (фотовозбуждение in situ). Установлено, что в случае малых доз
фотовозбуждение способствует кластерообразованию как вблизи поверхности образца, так и в области максимума деформации. При дозе 4 ⋅ 1013 ат/см2, когда начинается аморфизация поверхности образца, фотовозбуждение уже не влияет на характер распределения радиационных дефектов. В приповерхностной
области фотовозбуждение способствует стоку межузельных дефектов на поверхность.


Об авторах

К. Д. Щербачев
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



В. Т. Бублик
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

доктор физ.−мат. наук, профессор, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



М. И. Воронова
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

научный сотрудник, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



Список литературы

1. Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. Л. С. Смирнова − Новосибирск : Наука, 1977. − 256 с.

2. Morozov, N. P. Radiation defect formation at ion implantation of semiconductors in the presence of force−fields / N. P. Morozov, D. I. Tetelbaum // Phys. status solidi (a). − 1979. − V. 51. − P. 629—640.

3. Акимов, А. Г. Управляемый резистор с функциями полевого транзистора и полевого датчика Холла / А. Г. Акимов,М. Ю. Барабаненков, В. Н. Мордкович // Приборы и техника эксперимента. − 1988. − № 5. − С. 123—128.

4. Щербачев, К. Д. Применение трехкристальной рентгеновской дифрактометрии для исследования ионоимплантированных слоев / К. Д. Щербачев, А. В. Курипятник, В. Т. Бублик // Заводская лаборатория. − 2003. − № 6. − С. 23—31.

5. Wie, C. R. Dynamical X−ray diffraction from nonuniform crystalline films: Application to X−ray rocking curve analysis / C. R. Wie, T. A. Tombrello, T. Vreeland // J. Appl. Phys. − 1986. − V. 59. − P. 3743—3746.

6. Кривоглаз, М. А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах / М. А. Кривоглаз. − Киев : Наукова думка, 1983. − 407 с.

7. Servidory, M. Analysis of (n,−n) and (n, −n, n) X−ray rocking curves of processed silicon / M. Servidory, R. Fabri // J. Phys. B: Appl. Phys. − 1993. − V. 26. − P. A22—A28.

8. Goldberg, R. D. Secondary defect formation in self−ion irradiated silicon / R. D. Goldberg, T. W. Simpson, I. V. Mitchell, P. J. Simpson, M. Prikryl, G. C. Weatherly // Nucl. Instrum. And Meth. in Phys. Res. B. − 1995. − V. 106. − P. 216—221.

9. Gartner, K. Energy dependence of dechanneling due to dislocation loops / K. Gartner, A. Uguzzoni // Ibid. − 1992. − V. 67. − P. 189—193.

10. Gartner, K. Axial dechanneling in compound crystals with point defects and defect analysis by RBS / K. Gartner // Ibid. − 1997. − V. 132. − P. 147—158.

11. Lyndard, J. Influence of crystal lattice on motion of energetic charged particles / J. Lyndard, K. Dan Vid Selsk // Mat. Fys. Medd. − 1965. − V. 34, N 14. − P. 1—65.

12. Bonderup, E. Calculations on axial dechanneling / E. Bonderup, H. Esbensen, J. U. Andersen, H. E. Schitt // Radiat. Effects. − 1972. − V. 12. − P. 261—266.

13. Щербачев, К. Д. Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур «кремний−на−изоляторе» К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, В. Н. Мордкович, Д. М. Пажин // Физика и техника полупроводников. − 2011. − Т. 45, № 6. − С. 754—758.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Воронова М.И. ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ». Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):68-71. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-68-71

For citation: Shcherbachev K.D., Bublik V.T., Voronova M.I. Influence of in situ photoexcitation on the structure of a damaged layer in SOI. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):68-71. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-68-71

Просмотров: 269

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)