МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-50-53

Полный текст:


Аннотация

Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении плотности тока. Определены причины, влияющие на этот эффект. Показаны способы
уменьшения падения квантового выхода и положительные результаты применения кремниевых
подложек в многокомпонентных наногетероструктурах для InGaN светоизлучающих диодов.


Об авторах

О. И. Рабинович
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4



В. П. Сушков
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

доктор техн. наук, профессор, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.



Список литературы

1. Jhou, Y. D. Nitride−based light emitting diode and photodetector dual function devices with InGaN/GaN multiple quantum well structures / Y. D. Jhou, C. H. Chen, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, P. C. Chang,. P. C. Chen, H. Hung, S. M. Wang, C. L. Yu // Solid State Electronics − 2005. − V. 49. − P. 1347—1351.

2. Gao, F. Complexes, clustering, and native−defect−assisted diffusion of aluminum in silicon / F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber // Phys. Rev. B. − 2004. − V. 70. − P. 2452081—2452088.

3. Akasaki, I. Nitride semiconductors — impact on the future world / I. Akasaki // J. Cryst. Growth. − 2002. − V. 237–239.− P. 905—911.

4. Pankove, J. I. Photoemission from GaN / J. I. Pankove, H. Schade // Appl. Phys. Lett. − 1974. − V. 25, N 1. − P. 53—55.

5. Zukauskas, A. Quaternary AlInGaN MQWs for Ultraviolet LEDs / A. Zukauskas, M. S. Shur, R. Gaska // MRS Bulletin. – 2001. − V. 10. − P. 764—769.

6. Basic research needs for solid−state lighting. Report of the Basic Energy Sciences Workshop on Solid−State Lighting [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.sc.doe.gov/bes/reports/ files/SSL_rpt.pdf

7. Winston, D. W. Physical simulation of optoelectronic semiconductor devices. The thesis for the Doctor of Philosophy degree. / D. W. Winston // Department of Electrical and Computer Engineering of the University of Colorado, 1996.

8. Рабинович, О. И. Компьютерное моделирование InGaN светодиодов / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // 5−я Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб. : Политех. ун−т, 2007. − С. 81—82.

9. Rabinovich, O. I. New results of InGaN LED simulation / O. I. Rabinovich, S. G. Nikiforov, V. P. Sushkov // Proc. of SPIE V. 6468, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XV, San Jose, California, USA, 2007. − Р. 64680U−1—64680U−10.

10. Таблицы свойств материалов и сборник экспериментальных данных [Электронный ресурс] / Физико−Технический Институт им. А. Ф. Иоффе РАН – Режим доступа: http://www.matprop.ru.

11. Van de Walle, Ch. G. Small valence−band offsets at GaN/InGaN heterojunctions / Ch. G. Van de Walle, J. Neugebauer // Appl.Phys. Lett. − 1997. − V. 70. − P. 2577—2579.

12. Adyr, F. G. Organometallic vapor phase epitaxial growth of GaN on ZrN/AlN/Si substrates / F. G. Adyr, T. E. Simpsion// Appl. Phys. Lett. − 2008. − V. 93. − Р. 023109—023111.

13. Технические данные и характеристики СИД и МКНГ / Compound Semiconductors [Электронный ресурс] – Режим доступа: http://www.compoundsemiconductor.net/csc/details. php?cat=news&id=19734144.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Рабинович О.И., Сушков В.П. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):50-53. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-50-53

For citation: Rabinovich O.I., Sushkov V.P. Quantum efficiency simulation of InGaN/Si LED. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):50-53. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-50-53

Просмотров: 266

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)