ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ

Д. В. Рощупкин; Д. В. Иржак; Е. В. Емелин; Р. Р. Фахртдинов; О. А. Бузанов; С. А. Сахаров

Поиск

Листать

Помощь

Личный кабинет

Язык

Инструменты статьи

Поиск ссылок

Послать статью по эл. почте (Необходимо имя пользователя (логин))

Связаться с автором (Необходимо имя пользователя (логин))

Об авторах

Д. В. Рощупкин
ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Россия

доктор физ.−мат. наук, зам. директора по научной работе, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,

Д. В. Иржак
ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6

Е. В. Емелин
ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, научный сотрудник, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,

Р. Р. Фахртдинов
ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Россия

зам. директора по научной работе, аспирант, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,

О. А. Бузанов
ОАО «ФОМОС Материалс»
Россия

кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, ОАО «ФОМОС Материалс», 105023, г. Москва;
ул. Буженинова, д. 16

С. А. Сахаров
ОАО «ФОМОС Материалс»
Россия

старший научный сотрудник, ОАО «ФОМОС Материалс», 105023, г. Москва; ул. Буженинова, д. 16

Облако тегов гетероструктура гетероструктуры глубокие уровни дефекты ионная имплантация искровое плазменное спекание карбид кремния кремний кремний моделирование монокристалл ниобат лития нитрид галлия первопринципные расчеты пористый кремний пористый кремний рост кристаллов солнечные элементы теллурид висмута тонкие пленки фотолюминесценция

Загрузить этот файл PDF

Полноэкранный режим

Для цитирования: Рощупкин Д.В., Иржак Д.В., Емелин Е.В., Фахртдинов Р.Р., Бузанов О.А., Сахаров С.А. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):25-28. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-25-28

For citation: Roshchupkin D.V., Irzhak D.V., Emelin E.V., Fahrtdinov R.R., Buzanov O.A., Sakharov S.A. Advanced Materials for Acoustoelectronics. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):25-28. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-25-28

Обратные ссылки

Обратные ссылки не определены.

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)

Логин
Пароль