Полноэкранный режим

Для цитирования: Быткин С.В., Критская Т.В., Радин Е.Г., Гончаров В.И., Куницкий Ю.И., Кобелева С.П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):45-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48

For citation: Bytkin S.V., Krytskaja T.V., Radin E.G., Goncharov V.I., Kunitskij J.I., Kobeleva S.P. An Experimental Study of the Characteristics of Thyristors, Manufactured on CZ–Si , Under the Action of Gamma–Irradiation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):45-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48

Просмотров: 223

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)