ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si , ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ

С. В. Быткин; Т. В. Критская; Е. Г. Радин; В. И. Гончаров; Ю. И. Куницкий; С. П. Кобелева

Поиск

Листать

Помощь

Личный кабинет

Язык

Инструменты статьи

Поиск ссылок

Послать статью по эл. почте (Необходимо имя пользователя (логин))

Связаться с автором (Необходимо имя пользователя (логин))

Об авторах

С. В. Быткин
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия

кандидат техн. наук, зам. директора по маркетингу и внешнеэкономической деятельности, ОАО
Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72

Т. В. Критская
Запорожская государственная инженерная академия, Украина
Россия

доктор техн. наук,
профессор, Запорожская государственная инженерная академия, Украина, 69006, г. Запорожье, просп. Ленина, д. 226

Е. Г. Радин
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия

кандидат техн. наук, зав. радиоизотопной лабораторией, ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.

В. И. Гончаров
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия

дозиметрист радиоизотопной лаборатории, ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь»,
Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.

Ю. И. Куницкий
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия

ведущий инженер (специалист) лаборатории тиристорного привода, ОАО Металлургический
комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.

С. П. Кобелева
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,

Облако тегов гетероструктура гетероструктуры глубокие уровни дефекты ионная имплантация искровое плазменное спекание кремний кремний моделирование монокристалл монокристаллы ниобат лития нитрид галлия первопринципные расчеты поверхностные акустические волны пористый кремний рентгеновская дифрактометрия рост кристаллов солнечные элементы теллурид висмута фотолюминесценция

Загрузить этот файл PDF

Полноэкранный режим

Для цитирования: Быткин С.В., Критская Т.В., Радин Е.Г., Гончаров В.И., Куницкий Ю.И., Кобелева С.П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):45-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48

For citation: Bytkin S.V., Krytskaja T.V., Radin E.G., Goncharov V.I., Kunitskij J.I., Kobeleva S.P. An Experimental Study of the Characteristics of Thyristors, Manufactured on CZ–Si , Under the Action of Gamma–Irradiation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):45-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48

Обратные ссылки

Обратные ссылки не определены.

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)

Логин
Пароль