ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-72-78

Полный текст:


Аннотация

Рассмотрены возможности использования дифрактометра XMD−300 при трех схемах съемки: скользящего первичного пучка, скользящего дифрагированного пучка, схемы θ—2θ для исследования кристаллического совершенства полупроводниковых гетероструктур (кремний−на−сапфире, кремний−на−
изоляторе, ионно−легированные слои кремния, структуры AlGaN/GaN/Si). Показано, что измерения с использованием трех схем в рассеянном излучении и при точном соблюдении условия брегговской дифракции позволяют получить интерференционную картину дифракции одновременно от кристаллических решеток нескольких слоев гетероструктуры и интерференционные пики максимальной интенсивности
для каждого отдельного слоя.


Об авторах

А. В. Лютцау
Федеральное государственное предприятие «Научно−производственное предприятие «Пульсар»
Россия

кандидат техн. наук, ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27



М. М. Крымко
Федеральное государственное предприятие «Научно−производственное предприятие «Пульсар»
Россия

кандидат техн. наук, ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27



К. Л. Енишерлова
Федеральное государственное предприятие «Научно−производственное предприятие «Пульсар»
Россия

доктор техн. наук, ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27



Э. М. Темпер
Федеральное государственное предприятие «Научно−производственное предприятие «Пульсар»
Россия

ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27



И. И. Разгуляев
Федеральное государственное предприятие «Научно−производственное предприятие «Пульсар»
Россия

кандидат техн. наук, ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27



Список литературы

1. Кузьмин, Р. Н. Рентгеновская оптика / Р. Н. Кузьмин // Соросовский образовательный журнал. − 1997. − № 2. − С. 1—7.

2. Enisherlova, K. L. The spatial features AlxGa1−xN/GaN heterostructures / K. L. Enisherlova, R. M. Immamov, L. M. Subbotin // Proc. of SPIE. Micro− and nanoelectronics. − 2008. − V. 7025. − P. 702518−8.

3. Васильев, А. Г. Исследование структур AlGaN/GaN методом рентгеновской дифрактометрии / А. Г. Васильев, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, Э. М. Темпер, Т. Ф. Русак // Электрон. техника. Полупроводниковые приборы. серия 2. − 2010. − Вып. 2(225). − С. 13—27.

4. Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 270 с.

5. Bublik, V. T. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates. / V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, K. D. Shcherbachev, D. M. Pazhin // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2005. V. 38, N 10A. − P. A126—A131.

6. Пинскер, З. Г. Рентгеновская кристаллооптика / З. Г. Пинскер. − М. : Наука, 1982. − 390 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Лютцау А.В., Крымко М.М., Енишерлова К.Л., Темпер Э.М., Разгуляев И.И. ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):72-78. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-72-78

For citation: Lutzau A.V., Krymko M.M., Enisherlova K.L., Temper E.M., Razguliaev I.I. Heterostructure Investigation Using X–ray Single–Crystal Diffractometry Method. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):72-78. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-72-78

Просмотров: 226

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)