К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-40-44
Аннотация
Рассмотрен поиск аналитического решения стационарной задачи поведения лавинного тока
в сильных электрических полях при наличии центров генерации и рекомбинации. Представлены
вольт−амперные характеристики для p—i—n−структуры. Полученные результаты объясняют
образование пространственных структур и гистерезис в сильных электрических полях.
Об авторах
В. С. Кузнецов
Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент, Ярославский государственный университет им. П. Г.
Демидова, 150000, г. Ярославль, ул. Советская, д. 14.
П. А. Кузнецов
Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова
Россия
Россия
аспирант, Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, 150000,
г. Ярославль, ул. Советская, д. 14
Список литературы
1. Грехов, И. В. Лавинный пробой p—n−перехода в полупроводниках / И. В. Грехов Ю. Н. Серёжкин. − Л. : Энергия, 1980.
2. Гафийчук, В. В. Микроплазмы в идеально однородных p—i—n−структурах. / В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, В. В. Осипов // ФТП. − 1990. − Т. 24, № 4. − С. 724.
3. Rodin, P. Tunneling−assisted impact ionization fronts in semiconductors / P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I. Grekhov // J. Appl. Phys. − 2002. − V. 92, N 2. − P. 958—964.
4. Кюрегян, A. C. О механизме пробоя p−n переходов при больших скоростях нарастания обратного смещения / A. C. Кюрегян // Письма в ЖТФ. − 2005. − Т. 31, вып. 24. − С. 11—19.
5. Грехов, И. В. О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p—n−переходов за порогомзинеровского пробоя / И. В. Грехов, И. П. Родин // Письма в ЖТФ. − 2007. − Т. 33, вып. 4. − С. 87—94.
6. Шелль, Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно−рекомбинационными процессами. / Э. Шёлль − М.: Мир, 1991. − 464 с.
7. Милнс, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. / А.Милнс. − М. : Мир, 1977. − 124 с.
8. Ландау, Л. Д. Квантовая механика. Нерелятивистская механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. − М. : Наука, 1989. − 761 с.
9. Levinshtein, M. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices / M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein. − Singapore : World Scientific Publishing Co. Ptc. Ltd., 2005.
10. Астров, Ю. А. Токовые структуры в Si(Zn). / Ю. А. Астров // ФТП. − 1993. − Т. 27, № 11/12. С. 1971—1989.
11. Астров, Ю. А. Исследование структуры токовых нитей в Si(Zn) / Ю. А. Астров, С. А. Хореев // ФТП. − 1993.− Т. 27, № 11/12. − С. 1024—2029.
Рецензия
Для цитирования:
Кузнецов В.С., Кузнецов П.А. К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):40-44. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-40-44
For citation:
Kuznetsov V.S., Kuznetsov P.A. Investigation of Charge Carriers Space Self–Organization in Strong Electrical Fields. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):40-44. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-40-44
Просмотров:
786
Послать статью по эл. почте 