ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48

Полный текст:


Аннотация

Проведены исследования характеристик тестовых тиристорных структур на основе выращенного
методом Чохральского Si<P,Ge>, подвергнутых γ−облучению. Обнаружена существенно бόльшая
радиационная стойкость этих приборов по сравнению с полученными в аналогичных условиях
контрольными структурами, изготовленными на монокристаллах кремния, не легированных германием.


Об авторах

С. В. Быткин
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия

кандидат техн. наук, зам. директора по маркетингу и внешнеэкономической деятельности, ОАО
Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72



Т. В. Критская
Запорожская государственная инженерная академия, Украина
Россия

доктор техн. наук,
профессор, Запорожская государственная инженерная академия, Украина, 69006, г. Запорожье, просп. Ленина, д. 226



Е. Г. Радин
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия

кандидат техн. наук, зав. радиоизотопной лабораторией, ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.



В. И. Гончаров
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия

дозиметрист радиоизотопной лаборатории, ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь»,
Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.



Ю. И. Куницкий
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия

ведущий инженер (специалист) лаборатории тиристорного привода, ОАО Металлургический
комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.



С. П. Кобелева
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,



Список литературы

1. Bruemmer, J. E. Schmitz Efficient Design in a DC to DC Converter Unit. / J. E. Bruemmer, F. R. Williams // NASA Technical Memorandum E−13499 prepared for the 37th Intersociety energy conversion engineering conf. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gltrs.grc.nasa.gov/reports/2002/TM−2002−211804.pdf

2. Keller, J. Power electronics designers look to the future / J. Keller // Military and aerospace electronics. November. 2002.[Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://mae.pennnet. com/articles/article_display.cfm?Section=ARCHI&C=Feat&ARTICLE_ID=161973&KEYWORDS=Schottky%20QPL&p=32

3. Rausch, R. Electronic components and systems and their radiation qualification for use in the LHC machine / R. Rausch // European laboratory for particle physics, CERN−SL division CERN SL 99−004 (CO). [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://www− project.slac.stanford.edu/lc/local/Radphysics/European_Lab.pdf

4. Ozpineci, B. Comparison of wide−bandgap semiconductors for power electronics applications / B. Ozpineci, L. M. Tolbert // ORNL/TM−2003/257, December 12, 2003 OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY Oak Ridge, Tennessee 37831, managed by UT−BATTELLE, LLC for the U.S. DEPARTMENT OF ENERGY under contract No. DE−AC05−00OR22725 [Электронный ресурс]. − Режим доступа: / http://www.ornl.gov/~webworks/cppr/y2001/rpt/118817.pdf

5. Лебедев, А. SiC−электроника: прошлое, настоящее, будущее / А. Лебедев, С. Сбруев // Электроника. Выпуск № 5/2006 Элементная база электроники [Электронный ресурс]. – Режим доступа: / http://www.electronics.ru/issue/2006/5/4

6. Dyer, C. S. Space radiation effects for future technologies and missions / C. S Dyer, G. Hopkinson (Rep.ref.QINETIQ/KI/SPACE/TR010690/1.1) [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http:// reat.space.qinetiq.com/Reat/wp1_tn/Document_text.html

7. Bytkin, S. V. Silicon doped with germanium (n−Si<Ge>) usage for manufacturing of radiation hardened devices and integrated circuits / S. V. Bytkin // 4th Europ. Conf. on radiation and its effects on components and systems Proc. Cannes (France). − 1997. − Р. 141—146.

8. ГОСТ 19138.0−85. Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gosts.skgvh.ru/Index/20/20337.htm

9. ГОСТ 19138.6−86. Тиристоры. Методы измерения электрических параметров. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gosts.skgvh.ru/Index/12/12223.htm

10. Критская, Т. В. Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики / Т. В. Критская // Дисс. … докт. техн. наук. − Запорожье, 2006. − 375 с.

11. Быткин, С. В. Материалы и процессы в технологии кремниевых приборов, устойчивых к действию ионизирующих излучений: анализ эффективности применения / С. В. Быткин, О. В. Быткина. − Запорожье: Изд−во ЗГИА, 1997. − 84 с.

12. Кузьмин, В. А. Четырехслойные полупроводниковые приборы / В. А. Кузьмин, К. Я. Сенаторов. − М. : Энергия, 1967. − 184 с.

13. Вологдин, Э. Н. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов / Э. Н. Вологдин, А. П.Лысенко. − М., 2001. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://window.edu.ru/window/library?p_rid=55864

14. О Федеральной целевой программе «Национальная технологическая база» на 2007—2011 годы (в ред. Постановления Прави- тельства РФ от 26.11.2007 № 809) . [Электронный ресурс]. – Режим доступа: //http://www.intpark.noolab.ru/uploads/1245030251.doc

15. Вологдин, Э. Н. Радиационная стойкость биполярных транзисторов / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко. − М., 2000. [Электрон-ный ресурс]. − Режим доступа: // http://window.edu.ru/window/ library?p_rid=558643

16. Герлах, В. Тиристоры / В. Герлах − М. : Энергоатомиздат, 1985. − 345 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Быткин С.В., Критская Т.В., Радин Е.Г., Гончаров В.И., Куницкий Ю.И., Кобелева С.П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):45-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48

For citation: Bytkin S.V., Krytskaja T.V., Radin E.G., Goncharov V.I., Kunitskij J.I., Kobeleva S.P. An Experimental Study of the Characteristics of Thyristors, Manufactured on CZ–Si , Under the Action of Gamma–Irradiation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):45-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48

Просмотров: 281

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)