ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48
Аннотация
Проведены исследования характеристик тестовых тиристорных структур на основе выращенного
методом Чохральского Si<P,Ge>, подвергнутых γ−облучению. Обнаружена существенно бόльшая
радиационная стойкость этих приборов по сравнению с полученными в аналогичных условиях
контрольными структурами, изготовленными на монокристаллах кремния, не легированных германием.
Об авторах
С. В. Быткин
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия
Россия
кандидат техн. наук, зам. директора по маркетингу и внешнеэкономической деятельности, ОАО
Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72
Т. В. Критская
Запорожская государственная инженерная академия, Украина
Россия
Россия
доктор техн. наук,
профессор, Запорожская государственная инженерная академия, Украина, 69006, г. Запорожье, просп. Ленина, д. 226
Е. Г. Радин
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия
Россия
кандидат техн. наук, зав. радиоизотопной лабораторией, ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.
В. И. Гончаров
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия
Россия
дозиметрист радиоизотопной лаборатории, ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь»,
Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.
Ю. И. Куницкий
ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Россия
Россия
ведущий инженер (специалист) лаборатории тиристорного привода, ОАО Металлургический
комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное шоссе, д. 72.
С. П. Кобелева
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,
Список литературы
1. Bruemmer, J. E. Schmitz Efficient Design in a DC to DC Converter Unit. / J. E. Bruemmer, F. R. Williams // NASA Technical Memorandum E−13499 prepared for the 37th Intersociety energy conversion engineering conf. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gltrs.grc.nasa.gov/reports/2002/TM−2002−211804.pdf
2. Keller, J. Power electronics designers look to the future / J. Keller // Military and aerospace electronics. November. 2002.[Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://mae.pennnet. com/articles/article_display.cfm?Section=ARCHI&C=Feat&ARTICLE_ID=161973&KEYWORDS=Schottky%20QPL&p=32
3. Rausch, R. Electronic components and systems and their radiation qualification for use in the LHC machine / R. Rausch // European laboratory for particle physics, CERN−SL division CERN SL 99−004 (CO). [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://www− project.slac.stanford.edu/lc/local/Radphysics/European_Lab.pdf
4. Ozpineci, B. Comparison of wide−bandgap semiconductors for power electronics applications / B. Ozpineci, L. M. Tolbert // ORNL/TM−2003/257, December 12, 2003 OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY Oak Ridge, Tennessee 37831, managed by UT−BATTELLE, LLC for the U.S. DEPARTMENT OF ENERGY under contract No. DE−AC05−00OR22725 [Электронный ресурс]. − Режим доступа: / http://www.ornl.gov/~webworks/cppr/y2001/rpt/118817.pdf
5. Лебедев, А. SiC−электроника: прошлое, настоящее, будущее / А. Лебедев, С. Сбруев // Электроника. Выпуск № 5/2006 Элементная база электроники [Электронный ресурс]. – Режим доступа: / http://www.electronics.ru/issue/2006/5/4
6. Dyer, C. S. Space radiation effects for future technologies and missions / C. S Dyer, G. Hopkinson (Rep.ref.QINETIQ/KI/SPACE/TR010690/1.1) [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http:// reat.space.qinetiq.com/Reat/wp1_tn/Document_text.html
7. Bytkin, S. V. Silicon doped with germanium (n−Si<Ge>) usage for manufacturing of radiation hardened devices and integrated circuits / S. V. Bytkin // 4th Europ. Conf. on radiation and its effects on components and systems Proc. Cannes (France). − 1997. − Р. 141—146.
8. ГОСТ 19138.0−85. Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gosts.skgvh.ru/Index/20/20337.htm
9. ГОСТ 19138.6−86. Тиристоры. Методы измерения электрических параметров. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gosts.skgvh.ru/Index/12/12223.htm
10. Критская, Т. В. Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики / Т. В. Критская // Дисс. … докт. техн. наук. − Запорожье, 2006. − 375 с.
11. Быткин, С. В. Материалы и процессы в технологии кремниевых приборов, устойчивых к действию ионизирующих излучений: анализ эффективности применения / С. В. Быткин, О. В. Быткина. − Запорожье: Изд−во ЗГИА, 1997. − 84 с.
12. Кузьмин, В. А. Четырехслойные полупроводниковые приборы / В. А. Кузьмин, К. Я. Сенаторов. − М. : Энергия, 1967. − 184 с.
13. Вологдин, Э. Н. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов / Э. Н. Вологдин, А. П.Лысенко. − М., 2001. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://window.edu.ru/window/library?p_rid=55864
14. О Федеральной целевой программе «Национальная технологическая база» на 2007—2011 годы (в ред. Постановления Прави- тельства РФ от 26.11.2007 № 809) . [Электронный ресурс]. – Режим доступа: //http://www.intpark.noolab.ru/uploads/1245030251.doc
15. Вологдин, Э. Н. Радиационная стойкость биполярных транзисторов / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко. − М., 2000. [Электрон-ный ресурс]. − Режим доступа: // http://window.edu.ru/window/ library?p_rid=558643
16. Герлах, В. Тиристоры / В. Герлах − М. : Энергоатомиздат, 1985. − 345 с.
Рецензия
Для цитирования:
Быткин С.В., Критская Т.В., Радин Е.Г., Гончаров В.И., Куницкий Ю.И., Кобелева С.П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si
For citation:
Bytkin S.V., Krytskaja T.V., Radin E.G., Goncharov V.I., Kunitskij J.I., Kobeleva S.P. An Experimental Study of the Characteristics of Thyristors, Manufactured on CZ–Si
Просмотров: 796
Послать статью по эл. почте 