Полноэкранный режим

Для цитирования: Енишерлова К.Л., Горячев В.Г., Русак Т.Ф., Капилин С.А. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(2):137-145. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-137-145

For citation: Enisherlova K.L., Goryachev V.G., Rusak T.F., Kapilin S.A. Investigation of the Passivation Layers Influence on Capacitance Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(2):137-145. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-137-145

Просмотров: 267

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)