ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP
Аннотация
Выявлена существенная зависимость деформационного состояния кристаллической решетки пленок GaAs, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии от способа зарождения первых слоев прослойки GaP (50 нм) на вицинальной подложке Si(001) 4° вокруг оси <011>. Рост GaP начинался послойно с галлиевого или фосфорного подслоя. Установлено, что в случае зарождения GaP с галлия, пленка GaAs имеет значительный поворот кристаллической решетки вокруг направления <011>. При фор- мировании прослойки с фосфорного подслоя заметен поворот пленки GaAs вокруг <001>. Степень релаксации пленки составляет более 100 %, она находится в латерально растянутом состоянии. Анализ проведен с использованием модели триклинных искажений. Представлена карта рассеяния в обратном пространстве, полученная с помощью рентгеновской дифрактометрии в трехосевой схеме малого разрешения. На карте явно виден факт поворота кристаллической решетки пленки GaAs.
Об авторах
И. Д. Лошкарев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, младший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, д. 13
А. П. Василенко
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
младший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, д. 13
Е. М. Труханов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
доктор физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, д. 13
А. В. Колесников
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
кандидат физ.− мат. наук, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, д. 13
А. С. Ильин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
инженер, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, д. 13
М. А. Путято
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, д. 13
Б. Р. Семягин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, д. 13
В. В. Преображенский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, д. 13
Список литературы
1. Bolhovityanov, Yu. B. Epitaksiya GaAs na kremnievyh podlozhkah: sovremennoe sostoyanie issledovanii i razrabotok / Yu. B. Bolhovityanov, O. P. Pchelyakov // UFN. − 2008. − T. 178, N 5. − P. 459—480
2. Fewster, P. F. X−ray scattering from semiconductors / P. F. Fewster. − L. : Imperial College Press, 2003. − 299 p.
3. Nagai, H. Structure of vapor−deposited GaxIn1−xAs crystals / H. Nagai // J. Appl. Phys. − 1974. − V. 45. − P. 3789.
4. Kolesnikov, A. V. Rentgenodifrakcionnyi analiz iskazhenii epitaksial’noi plenki na otklonennyh podlozhkah / A. V. Kolesnikov, A. S. Il’in, E. M. Truhanov, A. P. Vasilenko, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin // Izv. RAN. ser. fiz. − 2011. − T. 75, N 5. − P. 652—655.
5. Bouen, D. K. Vysokorazreshayushaya rentgenovskaya difraktometriya i topografiya / D. K. Bouen, B. K. Tanner. − Sb.P. : Nauka, 2002. − 276 p.
6. Bringans, R . D. Surface bands for single − domain 2 × 1 reconstructed Si(100) and Si(100) : As. Photoemission results for off-axis crystals / R. D. Bringans, R. I. G. Uhrberg, M. A. Olmstead, R. Z. Bachrach // Phys. Rev. B. − 1986. − V. 34, N 10. − P. 7447—7450.
7. Bringans, R. D. Atomic−step rearrangement on Si(100) by interaction with arsenic and the implication for GaAs−on−Si epitaxy / R. D. Bringans, D. K. Biegelsen, L.−E. Swartz // Phys. Rev. B. − 1991. − Т. 44, N 7. − P. 3054—3063.
Для цитирования:
Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Труханов Е.М., Колесников А.В., Ильин А.С., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В. ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):48-51. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-48-51
For citation:
Loshkarev I.D., Vasilenko A.P., Trukhanov E.M., Kolesnikov A.V., Ilin A.S., Putyato M.A., Semyagyn B.R., Preobrazhensky V.V. EFFECTS OF THE FORMATION METHOD OF EARLY GAP BUFFER MONOLAYERS ON THE STRAIN STATE OF GAAS FILMS ON VICINAL SI(001) SUBSTRATES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):48-51. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-48-51
Просмотров: 430
Послать статью по эл. почте 