Для цитирования:
Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Труханов Е.М., Колесников А.В., Ильин А.С., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В. ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):48-51. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-48-51
For citation:
Loshkarev I.D., Vasilenko A.P., Trukhanov E.M., Kolesnikov A.V., Ilin A.S., Putyato M.A., Semyagyn B.R., Preobrazhensky V.V. EFFECTS OF THE FORMATION METHOD OF EARLY GAP BUFFER MONOLAYERS ON THE STRAIN STATE OF GAAS FILMS ON VICINAL SI(001) SUBSTRATES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):48-51. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-48-51
Послать статью по эл. почте 