Полноэкранный режим

Для цитирования: Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Труханов Е.М., Колесников А.В., Ильин А.С., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В. ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):48-51. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-48-51

For citation: Loshkarev I.D., Vasilenko A.P., Trukhanov E.M., Kolesnikov A.V., Ilin A.S., Putyato M.A., Semyagyn B.R., Preobrazhensky V.V. EFFECTS OF THE FORMATION METHOD OF EARLY GAP BUFFER MONOLAYERS ON THE STRAIN STATE OF GAAS FILMS ON VICINAL SI(001) SUBSTRATES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):48-51. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-48-51

Просмотров: 221

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)