Для цитирования:

Енишерлова К.Л., Михайлов И.А., Сейдман Л.А., Кириленко Е.П., Колковский Ю.В. Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2023;26(3):204-216. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202306.556

For citation:

Еnisherlova K.L., Mikhaylov I.A., Seidman L.A., Kirilenko E.P., Kolkovsky Yu.V. Modeling the processes of formation of defects that form deep levels in SiON/AlGaN/GaN. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2023;26(3):204-216. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202306.556