Для цитирования:

Быткин С.В., Критская Т.В., Кобелева С.П. СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):42-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-42-48

For citation:

Bytkin S.V., Kritskaya T.V., Kobeleva S.P. STATISTICAL ANALYSIS OF GE INFLUENCE ON RADIATION AND THERMAL STABILITY OF THE ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF CZ–SI

BASED DEVICE N—P—N—P–STRUCTURES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):42-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-42-48