СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-42-48

Полный текст:


Аннотация

Исследованы характеристики мало- мощных и силовых тиристоров на основе бездислокационных монокристаллов кремния, легированных германием в диапазоне концентраций NGe ~ (0,05÷1,5) ⋅ 1020 см−3. С использованием методов обработки экспериментальных данных в среде STATISTICA и MathCAD оценены критериальные параметры тиристоров при действии облучения и высоких температурных градиентов. Показана целесообразность использования кремния, легированного германием, для повышения термической стабильности и радиационной стойкости приборов, подвергнутых действию γ−облучения в диапазоне доз до 2,94⋅ 106 мЗв.

 


Об авторах

С. В. Быткин
ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь»
Украина

кандидат техн. наук,  начальник отдела  маркетинга и информационно − аналитической работы, ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина, 69008, г. Запорожье, Южное ш., д. 72

 



Т. В. Критская
Запорожская государственная инженерная академия
Украина

доктор техн. наук, профессор кафедры электронных систем Запорожской государственной инженерной академии, Украина, 69006, г. Запорожье, просп. Ленина,  д. 226

 



С. П. Кобелева
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент каф. полупроводниковой электроники, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4

 



Список литературы

1. Catrene scientific committee eorking group: Integrated power & energy efficiency [Elektronnyi document] (http://www. catrene.org/web/downloads/IPEE_Report_by _Catrene%20Sci._ Comm.pdf).

2. Weigel , W. −D. Moderne drehstromantriebstechn ik — stand und perspektiven / W.−D. Weigel // ZEVrail Glasers Annalen (Tagungsband SFT Graz). − 2002. − P. 112—125.

3. Kaminski, N. Vozdeistvie kosmicheskogo izlucheniya na intensivnost‘ otkazov IGCT [Elektronnyi document] / N. Kaminski, A. Chekmarev, I. Korzina, T. Styasni // Silovaya elektronika. − 2008. − N 1. − P. 30—32 (http://www.power−e.ru/2008_1_30.php).

4. O Federal‘noi celevoi programme «Nacional‘naya tehnologicheskaya baza» na 2007—2011 gody (v red. Postanovleniya Pravitel‘stva RF ot 26.11.2007 N 809). [Elektronnyi document] (http:// www.intpark.noolab.ru/uploads/1245030251.doc).

5. Kritskaya, T. V. Upravlenie svoistvami i razrabotka pro- myshlennoi tehnologii monokristallicheskogo kremniya dlya elektroniki i solnechnoi energetiki: Diss. d−ra. tehn. n. − Zaporozh’e, 2006. − 375 p.

6. Bytkin, S. V. Silicon doped with germanium (n−Si<Ge>) usage for manufacturing of radiation hardened devices and integrated circuits. / S. V. Bytkin // Fourth Europ. Conf. on Radiation and Its Effects on Components and Systems Proceedings. − Cannes (France), 1997. − P. 141—146.

7. Bytkin, S. V. Materialy i processy v tehnologii kremnievyh priborov, ustoichivyh k deistviyu ioniziruyushih izluchenii: analiz effektivnosti primeneniya / S. V. Bytkin, O. V. Bytkina − Zaporozh’e : Izd−vo ZGIA, 1997. − 84 p.

8. Bytkin, S. V. Radiacionnaya stoikost’ planarnyh n—p— n−struktur, izgotovlennyh iz monokristallov kremniya s razlichnoi koncentraciei germaniya / S. V. Bytkin, T. V. Kritskaya // Skladni sistemi i procesi − 2003. − N 2. − P. 90—96.

9. Barabash L. I. Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / L. I. Barabash, I. M. Vishnevs'kii, A. A. Groza, A. Ya. Karpenko, P. G. Litovchenko, M. I. Starchik // Voprosy atomnoi nauki i tehniki. Ser. 90: Fizika radiacionnyh povrezhdenii i radiacionnoe materialovedenie. − 2007. − N 2. − P. 182—189.

10. Defense technology strategy for the demands of the 21st century [Elektronnyi document] (http://www.science.mod.uk/mod- www/content/dts_complete.pdf).

11. Borovikov, V. STATISTICA. Iskusstvo analiza dannyh na komp‘yutere. Dlya professionalov / V. Borovikov. − SPb. : Piter, 2003. − 688 p.

12. Kudryavcev, V. M. Mathcad 11: Polnoe rukovodstvo po russkoi versii. / V. M. Kudryavcev −M. : DMK Press, 2005. − 592 p.

13. Gerlah, V. Tiristory / V. Gerlah − M. : Energoatomizdat, 1985. − 345 p.

14. Kritskaya, T. V. Uprugie napryazheniya v kremnii s vnu- trennimi getterami / T. V. Kritskaya, V. E. Kustov, N. A. Tripachko, V. I. Shahovcov // Elektronnaya tehnika. Ser. Materialy. − 1989. − Iss. 4 (241). − P. 41—43.

15. Kritskaya, T. V. Osobennosti spektrov IK−poglosheniya termodonorov v kristallah Si : Ge / T. V. Kritskaya, L. I. Hirunenko, V. I. Shahovcov, V. I. Yashnik // FTP. − 1990. − T. 24, Iss. 6. − P. 1129— 1132.

16. Kustov, V. E . Vnutrennie uprugie deformacii v kremnii / V. E.Kustov, T. V. Kritskaya, N. A. Tripachko, L. I. Hirunenko, V. I. Shahovcov, V. I. Yashnik // Neorgan. materialy. − 1991. − N 6. − P. 1116—1118.

17. Khirunenko, L . I. Oxygen in silicon doped with isovalent impurities. / L. I. Khirunenko, Yu. V. Pomozov, M. G. Sosnin, V. K. Shinkarenko // Physica B. − 1999. − V. 273−274. − P. 317—321.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Быткин С.В., Критская Т.В., Кобелева С.П. СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):42-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-42-48

For citation: Bytkin S.V., Kritskaya T.V., Kobeleva S.P. STATISTICAL ANALYSIS OF GE INFLUENCE ON RADIATION AND THERMAL STABILITY OF THE ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF CZ–SI

BASED DEVICE N—P—N—P–STRUCTURES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):42-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-42-48

Просмотров: 190

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)