Полноэкранный режим

Для цитирования: Тыныштыкбаев К.Б., Глазман В.Б., Муратов Д.А., Рахметов Б.А., Токмолдин Н.С., Токмолдин С.Ж. ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(4):268-277. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-268-277

For citation: Tynyshtykbayev K.B., Glazman V.B., Muratov D., Rakhmetov B., Tokmoldin N.S., Tokmoldin S.Z. Porous Silicon Based High Efficiency Photoelectrodes. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(4):268-277. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-268-277

Просмотров: 198

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)