Полноэкранный режим

Для цитирования: Гоник М.А. НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(2):95-102. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-95-102

For citation: Gonik M.A. Directional Crystallization of Multicrystalline Silicon in a Weak Melt Convection and Gas Exchange. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(2):95-102. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-95-102

Просмотров: 276

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)