КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-146-148
Аннотация
Фотолюминесценция с максимумом, соответствующим желтому цвету свечения видимого спектра (так называемая желтая люминесценция), определяется глубокими уровнями в буферном слое GaN гетерооструктур и зависит от условий роста гетероструктур. В свою очередь, глубокие уровни влияют на сопротивление омических контактов СВЧ−транзисторов, изготовленных на таких гетероструктурах. Это обуславливает надежность работы СВЧ−транзисторов на основе GaN.
Разработаны два типа установок для контроля фотолюминесценции c максимумом в желтой части видимого спектра, предназначенные для характеризации качества гетероструктур AlGaN/GaN/SiC и AlGaN/GaN/Al2O3. Одна их представленных установок позволяет проводить «экспресс− контроль» желтой фотолюминесценции, а другая — снимать «карты» фотолюминесценции по площади пластин с гетероструктурами. Приведены примеры «карт» фотолюминесценции для структур, выращенных на различных подложках.
Об авторах
Н. Б. Гладышева
ОАО «НПП «Пульсар»
Россия
Россия
кандидат экон. наук, профессор, генеральный директор,
Окружной проезд, д. 27, Москва, 105187
В. В. Груздов
ОАО «НПП «Пульсар»
Россия
Россия
кандидат экон. наук, профессор, генеральный директор,
Окружной проезд, д. 27, Москва, 105187
М. Е. Гусев
ОАО «НПП «Пульсар»
Россия
Россия
инженер−электроник 1−й категории,
Окружной проезд, д. 27, Москва, 105187
Ю. В. Колковский
ОАО «НПП «Пульсар»;
МГТУ «МИРЭА»
Россия
Россия
доктор техн. наук, профессор, зам. генерального директора по научной работе,
Окружной проезд, д. 27, Москва, 105187;
просп. Вернадского, д. 78, Москва, 119454
Ю. А. Концевой
ОАО «НПП «Пульсар»;
МГТУ «МИРЭА»
Россия
Россия
доктор техн. наук, профессор,
Окружной проезд, д. 27, Москва, 105187;
просп. Вернадского, д. 78, Москва, 119454
Е. Ф. Певцов
МГТУ «МИРЭА»
Россия
Россия
кандидат техн. наук, доцент, директор Центра проектирования интегральных схем, устройств наноэлектроники и микросистем,
просп. Вернадского, д. 78, Москва, 119454
Список литературы
1. Suski, T. Mechanism of yellow luminescence in GaN / T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczyński, I. Grzegory, J. Jun, M. Boćkowski, S. Porowski, T. D. Moustakas // Appl. Phys. Lett. − 1995. − V. 67, N 15. − С. 2188—2190.
2. Kikkawa, T. High performance and high reliability AlGaN/ GaN HEMTs / T. Kikkawa, K. Makiyama, T. Ohki, M. Kanamura, K. Imanishi, N. Hara, K. Joshin // Phys. status solidi (a). − 2009. − V. 206, Iss. 6, P. 1135—1144. DOI: 10.1002/pssa.200880983
3. Jessen, G. H. Ohmic contact characterization of AlGaN/GaN device layers with spatially localized LEEN spectroscopy / G. H. Jessen, B. D. White, S. T. Bradley, P. E. Smith, L. J. Brillson, J. E. van Nostrand, R. Fitch, G. D. Via, J. K. Gillespie, R. W. Dettmer, J. S. Sewell // Solid−State Electronics. − 2002. − V. 46, Iss. 9. − P. 1427—1431. DOI: 10.1016/S0038−1101(02)00075−8
Рецензия
Для цитирования:
Гладышева Н.Б., Груздов В.В., Гусев М.Е., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А., Певцов Е.Ф. КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(2):146-148. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-146-148
For citation:
Gladysheva N.B., Gruzdov V.V., Gusev M.E., Kolkovskii Yu.V., Kontsevoi Yu.A., Pevtsov E.F. Control of Yellow Photoluminescence in AlGaN/GaN Heterostructures. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(2):146-148. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-146-148
Просмотров:
995
Послать статью по эл. почте 