Для цитирования:

Гоник М.А., Cröll A., Wagner A. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(4):246-251. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-246-251

For citation:

Gonik M., Cröll A., Wagner A. Ge Distribution in Si0.9Ge0.1 Alloy Ingot Grown from Thin Melt Layer. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(4):246-251. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-246-251