Полноэкранный режим

Для цитирования: Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Шек Е.И. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(4):252-256. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-252-256

For citation: Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+–Implanted Silicon and the Photoluminescence Model. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(4):252-256. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-252-256

Просмотров: 199

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)