СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
Аннотация
Ключевые слова
Об авторах
Р. И. Баталов
Казанский физико–технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, ул. Сибирский тракт, д. 10/7, Казань, 420029, Россия
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник
В. Ф. Валеев
Казанский физико–технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, ул. Сибирский тракт, д. 10/7, Казань, 420029, Россия
Россия
Россия
научный сотрудник
В. И. Нуждин
Казанский физико–технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, ул. Сибирский тракт, д. 10/7, Казань, 420029, Россия
Россия
Россия
старший научный сотрудник
В. В. Воробьев
Казанский (Приволжский) федеральный университет, ул. Кремлевская, д. 18, Казань, 420008, Россия
Россия
Россия
аспирант
Ю. Н. Осин
Казанский (Приволжский) федеральный университет, ул. Кремлевская, д. 18, Казань, 420008, Россия
Россия
Россия
директор МДЦ АМ
Д. В. Лебедев
Казанский физико–технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, ул. Сибирский тракт, д. 10/7, Казань, 420029, Россия
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, научный сотрудник
А. А. Бухараев
Казанский физико–технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, ул. Сибирский тракт, д. 10/7, Казань, 420029, Россия
Россия
Россия
доктор физ.−мат. наук, заведующий лабораторией
А. Л. Степанов
Казанский физико–технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, ул. Сибирский тракт, д. 10/7, Казань, 420029, Россия
Казанский (Приволжский) федеральный университет, ул. Кремлевская, д. 18, Казань, 420008, Россия
Россия
Россия
доктор физ.−мат. наук, ведущий научный сотрудник
Список литературы
1. Ищенко,А.А. Нанокремний:свойства,получение,применение,методы исследования и контроля/А.А.Ищенко,Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов. − М. : Физматлит, 2011. − 573 c.
2. Козловский, В. В. Модифицирование полупроводников пучками протонов / В. В. Козловский, В. А. Козлов, В. Н. Ломасов // ФТП. − 2000. − Т. 34. − С. 129—147.
3. Lehmann, V. Porous silicon formation: A quantum wire effect / V. Lehmann, U. Gosele // Appl. Phys. Lett. − 1991. − V. 58. − P. 856—868.
4. Stein, H. J. Infrared spectroscopy of chemically bonded hydrogen at voids and defects in silicon / H. J. Stein, S. M. Myers, D. M. Follstaedt // J. Appl. Phys. − 1993. − V. 73. − P. 2755—2764.
5. Amran,T.S.Optical absorption and photoluminescence studies of gold nanoparticles deposited on porous silicon / T. S. Amran, M. R. Hashim, N. K. Al−Obaidi, H. Yazid, R. Adnan // Nanoscale Res. Lett. − 2013. − V. 8. − P. 35—41.
6. Wang, Y. Broadening antireflection on the silicon surface realized by Ag nanoparticle−patterned silicon / Y. Wang, Y. P. Liu, H. L. Liang, Z. X. Mei, X. L. Du // Phys. Chem. Chem. Phys. − 2013. − V. 12. − P. 2345—2350.
7. Panarin, A. Y. Formation of SERS−active silver structures on the surface of mesoporous silicon / A. Y. Panarin, V. S. Chirvony, K. I. Kholostov, P.−Y. Turpin, S. N. Terekhov // J. Appl. Spectr. − 2009. − V. 76. − P. 280—287.
8. Kreibig,U. Optical properties of metal clusters/U.Kreibig, M. Vollmer. − Berlin : Springer, 1995. − 468 p.
9. Stepanov, A. L. Ion−synthesis of metal nanoparticles and their optical properties / A. L. Stepanov. − N. Y. : Nova Sci. Publ., 2010. − 81 p.
10. Степанов, А. Л. Фотонные среды с наночастицами, синтезированными ионной имплантацией / А. Л. Степанов. − Саарбрюккен : Lambert Acad. Publ., 2014. − 353 c.
11. Ziegler, J. F. The stopping and range of ions in solids / J. F. Ziegler, J. P. Biersack, U. Littmark. − N. Y. : Pergamon Press, 1985. − 465 p.
12. Тысченко, И. Е. Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов H+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом / И. Е. Тысченко, В. П. Попов, А. Б. Талочкин, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев // ФТП. − 2004. − Т. 38. − С. 111—116.
13. Бухараев, А. А. Мониторинг жидкостного травления имплантированного диоксида кремния с помощью атомно−силового микроскопа / А. А. Бухараев, Н. И. Нургазизов, А. В. Сугоняко // Микроэлектроника. − 2002. − Т. 31. − С. 121—128.
14. Romano, L. Nanostructuring in Ge by self−ion implantation / L. Romano, G. Impellizzeri, M. V. Tomasello, G. Giannazzo, C. Spinella, M. G. Grimaldi // J. Appl. Phys. − 2010. − V. 107. − P. 084314−1—084314−5.
15. Герасименко,Н.Н.Кремний—материал нанооэлектроники / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. − М. : Техносфера, 2007. − 270 c.
Рецензия
Для цитирования:
Баталов Р.И., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Воробьев В.В., Осин Ю.Н., Лебедев Д.В., Бухараев А.А., Степанов А.Л. СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(4):278-283. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-278-283
For citation:
Batalov R.I., Valeev V.F., Nuzhdin V.I., Vorobev V.V., Osin Yu.N., Lebedev D.V., Bukharaev A.A., Stepanov A.L. Synthesis of Porous Silicon with Silver Nanoparticles by Low–Energy Ion Implantation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(4):278-283. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-278-283
Просмотров: 814
Послать статью по эл. почте 