Для цитирования:

Латухина Н.В., Рогожин А.С., Сайед С., Чепурнов В.И. ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(4):284-289. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-284-289

For citation:

Latukhina N.V., Rogozhin A.S., Saed S., Chepurnov V.I. Photosensitive Heterostructures on the Basis of Nanocrystal Porous Silicon. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(4):284-289. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-284-289