ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-3-221-228

Полный текст:


Аннотация

Дан анализ влияния объемных и поверхностных дефектов подложек SiC на структуру и некоторые электрофизические параметры выращенных на них эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN нитридных гетероструктур. В подложках из карбида кремния обнаружено наличие областей с внутренними напряжениями, источниками которых, как правило, являются пластинчатые включения, обогащенные углеродом. Экспериментально показано, что наличие внутренних  напряжений в SiC может влиять на микрорельеф эпитаксиальных пленок в областях над напряженными участками. Установлено,  что в областях эпитаксиальных пленок,  выращенных над областями с внутренними напряжениями в объеме подложек SiC, наблюдается резкое ухудшение  электрических параметров. В слоях AlGaN/GaN обнаружено наличие ряда примесей, попадающих в них в процессе эпитаксии.


Об авторах

К. Л. Eнишерлова
Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва
Россия

Енишерлова Кира Львовна — доктор технических наук, начальник лаборатории



Т. Ф. Русак
Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва
Россия

Русак  Татьяна Федоровна — старший научный сотрудник



В. И. Корнеев
Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва
Россия

Корнеев Вячеслав Игоревич



А. Н. Зазулина
Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва
Россия


Список литературы

1. Курышева, Е. Силовые приборы компании Cree на основе карбида кремния / Е. Курышева // Компоненты и технологии. − 2011. − № 6. − С. 106—110.

2. Майская, В. Компоненты беспроводной связи — миллиметровая волна / В. Майская // Электроника: НТБ. − 2011. − № 6 (00112). − С. 42—49.

3. Loboda, M. J. Advances in SiC substrates for power and energy applications / M. J. Loboda, G. Chung, E. Сarlson, R. Drachev, D. Hansen, E. Sanchez, J. Wan, J. Zhang // CS Mantech Conf. – Palm Springs (CA, USA), 2011.

4. Waltereit, P. Development of an epitaxial growth process on European SiC substrates for a low leakage GaN HEMT technology with power added efficiencies around and 65 % / P. Waltereit, S. Muller, L. Kirste, M. Prescher, S. Storm, A. Weber, B. Schauwecker, M. Hosch, J. Splettstober // CS Mantech Conf. − Palm Springs (CA, USA), 2013. − P. 121—124.

5. Д а ни лин, В. Н. Мо щ н ые в ыс о к о т е м пер ат у рн ые и радиационно−стойкие СВЧ−приборы нового поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN / В. Н. Данилин, Ю. П. Докучаев, Т. А. Жукова, М. А. Комаров // Электронная техника. Сер. 1: Электроника СВЧ. − 2001. − Вып. 1. − С. 137.

6. Авров, Д. Д. Образование доменов при синтаксическом срастании политипов карбида кремния/ Д. Д. Авров, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров // ФТП. − 2007. − Т. 41, вып. 12. − С. 1409—1413.

7. Авров, Д. Д. О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипв 4Н / Д. Д. Авров, А. В. Булатов, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров, А. Ю. Фадеев // ФТП. − 2011. − Т 45, вып. 3. − С. 289—294.

8. Ruland, G. Status of large diameter SiC single crystals / G. Ruland, P. Wu, X. Xu, V. Rengarajan, I. Zwieback, A. Gupta, M. Ramm // ECS Transaction. − 2014. − V. 64(7). − P. 27—33. DOI: 10.1149/06407.0027ecst.

9. Алекеев, А. Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/ GaN/AlGaN — основа новой компонентной базы твердотельной СВЧ−электроники / А. Алексеев, Д. Красовицкий, С. Петров, В. Чалый // Компоненты и технологии. − 2008. − № 2. − С. 138.

10. Гуськов, Б. Л. Экспрессный метод контроля дефектов пластин SiC и гетероструктур AlGaN/GaN/SiC / Б. Л. Гуськов, Ю. А. Концевой // Электрон. техника. Cер. 2. Полупроводниковые приборы. − 2010. − Вып 2(225). − С. 69—70.

11. Супрядкина, И. А. Исследование поляризаций нитридных соединений (Al, Ga, AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе / И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин // ФТП. − 2013. − Т. 47, вып. 12. − С. 1647—1652.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Eнишерлова К.Л., Русак Т.Ф., Корнеев В.И., Зазулина А.Н. ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(3):221-228. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-3-221-228

For citation: Enisherlova K.L., Rusak T.F., Korneev V.I., Zazulina A.N. EFFECT OF SIC SUBSTRATE PROPERTIES ON STRUCTURAL PERFECTION AND ELECTRICAL PARAMETERS OF ALGAN/G LAYERS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(3):221-228. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-3-221-228

Просмотров: 291

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)