.png)
.png)
Послать статью по эл. почте 
Для цитирования: Агарков Д.А., Борик М.А., Бредихин С.И., Бублик В.Т., Исхакова Л.Д., Кулебякин А.В., Курицына И.Е., Ломонова Е.Е., Милович Ф.О., Мызина В.А., Серяков С.В., Табачкова Н.Ю. ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ОКСИДА ИТТРИЯ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ (ZrO₂)0,91−x(Sc₂O₃)0,09(Y₂O₃)х (x = 0÷0,02). Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(4):246-254. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-246-254
For citation: Agarkov D.A., Borik M.A., Bredihin S.I., Bublik V.T., Iskhakova L.D., Kulebyakin A.V., Kuritsyna I.E., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.А., Seryakov S.V., Tabachkova N.Y. INFLUENCE OF YTTRIA DOPANT ON THE STRUCTURE AND PROPERTIES of (ZrO₂)0,91−x(Sc₂O₃)0,09(Y₂O₃)х (x = 0÷0,02) crystals. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(4):246-254. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-246-254
Обратные ссылки
- Обратные ссылки не определены.
