РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-1-60-66
Аннотация
Об авторах
О. Г. КошелевРоссия
Кошелев Олег Григорьевич — старший научный сотрудник.
Ленинские горы, д. 1, Москва, 119991.
Н. Г. Васильев
Россия
Васильев Никита Геннадиевич — студент 5 курса.
Ленинские горы, д. 1, Москва, 119991.
Список литературы
1. 32th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016). − Munich, 2016. URL: https://www.eupvsec−proceedings.com/proceedings/dvd.html (accessed 06.04.2017)
2. Takahiro Mishima, Micio Taguchi, Hitoshi Sakata, Eiji Maruyama. Development status of high−efficiency HIT solar cells // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2011. − V. 95, iss. 1. − P. 18—21. DOI: 10.1016/j.solmat.2010.04.030
3. Schmidt J., Aberle A. G. Accurate method for the determination of bulk minority−carrier lifetimes of mono− and multicrystalline silicon wafers // J. Appl. Phys. − 1997. − V. 81, iss. 9. − P. 6186—6199. DOI: 10.1063/1.364403
4. Patent 5438276 A (US). Apparatus for measuring the life time of minority carriers of a semiconductor wafer. Yutaka Kawata, Takuya Kusaka, Hidehisa Hashizume, Futoshi Ojima, 1995.
5. SEMI MF1535−0707. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wavers by noncontact measurements of photoconductivity decay by microwave reflectance. URL: http://ams.semi.org/ebusiness/standards/SEMIStandardDetail.aspx?ProductID=211&DownloadID=942 (accessed: 23.03.2017)
6. Gaubas E., Kaniava A. Determination of recombination parameters in silicon wafers by transient microwave absorption // Rev. Scientific Instruments. − 1996. − V. 67, iss. 6. − P. 2339—2345. DOI: 10.1063/1.1146943
7. Wezep D. A., Velden M. H. L., Bosra D. M., Bosh R. C. M. MDP lifetime measurements as a tool to predict solar cell efficiency / 26th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. Progress in Photovoltaics: Research and Applications. − Munich, 2016. − P. 1423—1428.
8. Metzger W. K. How lifetime fluctuations, grain−boundary recombination, and junctions affect lifetime measurements and their correlation to silicon solar cell performance // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2008. − V. 92, iss. 9, pp. 1123—1135. DOI: 10.1016/j.solmat.2008.04.001
9. Waldmeyer J. A contactless method for determination of carrier lifetime, surface recombination velocity, and diffusion constant in semiconductors // J. Appl. Phys. − 1988. − V. 63, iss. 6. − P. 1977—1983. DOI: 10.1063/1.341097
10. Buczkowski A., Radzimski Z. J., Rozgonyi G. A., Shimura F. Bulk and surface components of recombination lifetime based on a two−laser microwave reflection technique // J. Appl. Phys. − 1991. − V. 69, iss. 9. − P. 6495—6499. DOI: 10.1063/1.348857
11. Солнечные элементы технологии HIT — наше будущее? URL: http://solar−front.livejournal.com/11644.html (дата обращения 06.04.2017).
12. Концевой Ю. А., Брашеван Ю. В., Завадский Ю. И., Максимов Ю. А., Гладышев Д. А., Чернокожин В. В. Диагностика кремниевых пластин по параметрам и тепловому излучению элементов солнечных батарей // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2000. − Т. 66, № 10. − С. 32—33.
13. Babajanyan A., Sargsyan T., Melikyan H., Kim Seungwan, Kim Jongchel, Lee Kiejin. Investigation of the photovoltaic effect in solar cells by usinga near−field microwave microscope // J. Korean Phys. Soc. − 2009. − V. 55, iss. 1. − P. 154—157. DOI: 10.3938/jkps.55.154
14. Кошелев О. Г., Унтила Г. Г. О времени релаксации СВЧ фотопроводимости в базовой области кремниевых солнечных элементов при локальном освещении // XII Российская конф. по физике полупроводников. Тез. докл. − М. ; Ершово, 2015. − C. 380.
15. Кошелев О. Г. О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p+−n(p)−n+− типа из−за токов по слоям p+−и n+−типа // Изв. РАН. Сер. Физ. − 2017. − Т. 81, № 1. − C. 41—44. DOI: 10.7868/S0367676517010148
16. Koshelev O. G., Morozova V. A. A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p−n junctions // Solid−State Electronics. − 1996. − V. 39, iss. 9. − P. 1379—1383. DOI: 10.1016/0038−1101(96)00040−8
17. Васильев А. М., Ландсман А. П. Полупроводниковые фотопреобразователи. − М. : Советское радио, 1971. − 246 с. URL: http://www.toroid.ru/vasilievAM.html
18. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 2. − М.: Мир, 1984. − 455 с.
Рецензия
Для цитирования:
Кошелев О.Г., Васильев Н.Г. РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2017;20(1):60-66. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-1-60-66
For citation:
Koshelev O.G., Vasiljev N.G. SEPARATE DETERMINATION OF THE PHOTOELECTRIC PARAMETERS OF THE BASE REGION OF N+−P(N)−P+ SILICON STRUCTURE BY NONCONTACT METHOD BASED ON QUANTUM EFfi CIENCY RELATION MEASUREMENTS AT TWO WAVELENGTHS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2017;20(1):60-66. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-1-60-66