Полноэкранный режим

Для цитирования: Кошелев О.Г., Васильев Н.Г. РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2017;20(1):60-66. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-1-60-66

For citation: Koshelev O.G., Vasiljev N.G. SEPARATE DETERMINATION OF THE PHOTOELECTRIC PARAMETERS OF THE BASE REGION OF N+−P(N)−P+ SILICON STRUCTURE BY NONCONTACT METHOD BASED ON QUANTUM EFfi CIENCY RELATION MEASUREMENTS AT TWO WAVELENGTHS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2017;20(1):60-66. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-1-60-66

Просмотров: 142

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)