Полноэкранный режим

Для цитирования: Курочка С.П., Степушкин М.В., Борисов В.И. Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2016;19(4):271-278. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-271-278

For citation: Kurochka S.P., Stepushkin M.V., Borisov V.I. Specifics of fabrication of Ohmic contacts to AlGaAs/GaAs heterostructures with a 2D electron gas. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2016;19(4):271-278. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-271-278

Просмотров: 90

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)