Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Смирнов И.С., Новоселова Е.Г., Егоров А.А., Монахов И.С. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА IN SITU РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(1):35-37. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-35-37

For citation:


Smirnov I.S., Novoselova E.G., Egorov A.A., Monakhov I.S. APPLICATION OF IN SITU X–RAY REFLECTIVITY FOR DETERMINING PARAMETERS OF NANOSCALE SILICON FILMS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):35-37. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-35-37

Просмотров: 735


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)