Для цитирования:

Югова Т.Г., Белов А.Г., Каневский В.Е., Кладова Е.И., Князев С.Н. Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-GaAs, легированных теллуром. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(1):27-33. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-27-33

For citation:

Yugova T.G., Belov A.G., Kanevskii V.E., Kladova E.I., Knyazev S.N. Comparison of the results of optical and electrophysical measurements of free electron density in n-GaAs samples doped with tellurium. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2021;24(1):27-33. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-27-33