Для цитирования:

Критская Т.В., Журавлёв В.Н., Бердников В.С. Возможность использования потока инертного газа для управления качественными характеристиками выращиваемых монокристаллов кремния. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019;22(3):158-167. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-3-158-167

For citation:

Kritskaya T.V., Zhuravlev V.N., Berdnikov V.S. Opportunity to use inert gas flow for control of qualitative characteristics of the grown silicon single crystals. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2019;22(3):158-167. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-3-158-167