Investigation of Charge Carriers Space Self–Organization in Strong Electrical Fields
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-40-44
Abstract
An analytical solution of an avalanche current in p—i—n−structures is obtained. The impurity level and a generation−recombination phenomena are taken into consideration.P—i—n–structures current−voltage characteristic is derived. The results explain pattern formation and hysteresis under strong electrical field.
About the Authors
V. S. Kuznetsov
Yaroslavl State University
Russian Federation
Russian Federation
P. A. Kuznetsov
Yaroslavl State University
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Грехов, И. В. Лавинный пробой p—n−перехода в полупроводниках / И. В. Грехов Ю. Н. Серёжкин. − Л. : Энергия, 1980.
2. Гафийчук, В. В. Микроплазмы в идеально однородных p—i—n−структурах. / В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, В. В. Осипов // ФТП. − 1990. − Т. 24, № 4. − С. 724.
3. Rodin, P. Tunneling−assisted impact ionization fronts in semiconductors / P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I. Grekhov // J. Appl. Phys. − 2002. − V. 92, N 2. − P. 958—964.
4. Кюрегян, A. C. О механизме пробоя p−n переходов при больших скоростях нарастания обратного смещения / A. C. Кюрегян // Письма в ЖТФ. − 2005. − Т. 31, вып. 24. − С. 11—19.
5. Грехов, И. В. О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p—n−переходов за порогомзинеровского пробоя / И. В. Грехов, И. П. Родин // Письма в ЖТФ. − 2007. − Т. 33, вып. 4. − С. 87—94.
6. Шелль, Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно−рекомбинационными процессами. / Э. Шёлль − М.: Мир, 1991. − 464 с.
7. Милнс, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. / А.Милнс. − М. : Мир, 1977. − 124 с.
8. Ландау, Л. Д. Квантовая механика. Нерелятивистская механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. − М. : Наука, 1989. − 761 с.
9. Levinshtein, M. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices / M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein. − Singapore : World Scientific Publishing Co. Ptc. Ltd., 2005.
10. Астров, Ю. А. Токовые структуры в Si(Zn). / Ю. А. Астров // ФТП. − 1993. − Т. 27, № 11/12. С. 1971—1989.
11. Астров, Ю. А. Исследование структуры токовых нитей в Si(Zn) / Ю. А. Астров, С. А. Хореев // ФТП. − 1993.− Т. 27, № 11/12. − С. 1024—2029.
Review
For citations:
Kuznetsov V.S., Kuznetsov P.A. Investigation of Charge Carriers Space Self–Organization in Strong Electrical Fields. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):40-44. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-40-44
Views:
801
Email this article 