Выращивание из поликристаллического кремния солнечного качества квазимонокристаллических (mono-like) слитков методом направленной кристаллизации
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-3-194-205
Аннотация
Об авторах
А. А. БетекбаевКазахстан
ул. Комарова, д. 1, Бастобе, 041011
Бетекбаев Азат Амргумарович — председатель наблюдательного совета
Б. Н. Мукашев
Казахстан
ул. Комарова, д. 1, Бастобе, 041011
Мукашев Булат Нигматович — профессор, доктор техн. наук, академик НАН РК
L. Pelissier
Франция
ул. Илер де Шардонне, д. 109, Гренобль, 38100
Pelissier Laurent — генеральный директор,
P. Lay
Франция
ул. Илер де Шардонне, д. 109, Гренобль, 38100
Lay Philippe — PhD, технический директор
G. Fortin
Франция
ул. Илер де Шардонне, д. 109, Гренобль, 38100
Fortin Gautier — инженер
L. Bounaas
Франция
ул. Илер де Шардонне, д. 109, Гренобль, 38100
Bounaas Lotfi — PhD, инженер
Д. М. Скаков
Казахстан
ул. Комарова, д. 1, Бастобе, 041011
Скаков Данел Маженович — генеральный директор
Д. А. Калыгулов
Казахстан
ул. Комарова, д. 1, Бастобе, 041011
Калыгулов Дастан Аисултанович
А. А. Павлов
Казахстан
ул. Комарова, д. 1, Бастобе, 041011
Павлов Артем Александрович — инженер
Т. С. Турмагамбетов
Казахстан
ул. Комарова, д. 1, Бастобе, 041011
Турмагамбетов Тлеужан Сабиржанович
В. В. Ли
Казахстан
ул. Согринская, д. 223/6, Усть-Каменогорск, 070017
Ли Владимир Васильевич — генеральный директор
Список литературы
1. Luque A., Hegedus S. Handbook of photovoltaic science and engineering. Chichester (UK): John Wiley and Sons Ltd, 2011. 1162 p. DOI: 10.1002/9780470974704
2. Kirscht F., Heuer M., Käs M., Rakotoniaina J.-P., Jester T. Metallurgically refined silicon for photovoltaics // Proc. 6th Internat. Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-6). Aix-les-Bains (France): Institut National de L’Energie Solaire, 2012.
3. Бетекбаев А. А., Мукашев Б. Н., Пеллисер Л., Лай Ф., Фортин Г., Бунас Л., Скаков Д. М., Павлов А. А. Оптимизация уровня легирования кремния «солнечного» качества для повышения пригодного объема слитков и КПД солнечных элементов // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2015. № 2. С. 103—109. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-2-103-109
4. Mukashev B., Betekbaev A., Skakov D., Pellegrin I., Pavlov А., Bektemirov Zh. Upgrading of metallurgical grade silicon to solar grade silicon // Eurasian Chemico-Technological J. 2014. V. 16, N 4. P. 309—313. DOI: 10.18321/ectj11
5. Мукашев Б. Н., Бетекбаев А. А., Калыгулов Д. А., Павлов А. А., Скаков Д. М. Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, Вып. 10. С. 1421—1428.
6. Coletti G., Bronsveld P. C. P., Hahn G., Warta W., Macdonald D., Ceccaroli B., Wambach K., Quang N. L., Fernandez J. M. Impact of metal contaminations in silicon solar cells // Adv. Funct. Mater. 2011. V. 21, N 5. P. 879—890. DOI: 10.1002/adfm.201000849
7. Betekbaev A. A., Mukashev B. N., Ounadjela K., Pavlov A. A., Pellegrin I., Shcolnik V. S. KazPV project: Industrial development of vertically integrated PV production in Kazakhstan (from quartz processing up to production of solar cells and modules) // 24th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells and Modules: Materials and Processes. Breckenridge (Colorado, USA), 2014. P. 101—107.
8. Schmidt J., Bothe K. Structure and transformation of the metastable boron- and oxygen-related defect center in crystalline silicon // Phys. Rev. B. 2004. V. 69, N 2. P. 24107—24115. DOI: 10.1103/PhysRevB.69.024107
9. Arora N. D., Hauser J. R., Roulston D. J. Electron and hole mobilities in silicon as a function of concentration and temperature // IEEE Transactions on Electron Devices. 1982. V. 29, N 2. P. 292—295. DOI: 10.1109/T-ED.1982.20698
10. Duffar T., Nadri A. On the twinning occurrence in bulk semiconductor crystal growth // Scripta Mater. 2010. V. 62, Iss. 12. P. 955—960. DOI: 10.1016/j.scriptamat.2010.02.034.
11. Bolling G. F., Tiller W. A. Growth from the Melt. III. Dendritic Growth // J. Appl. Phys. 1961. V. 32, Iss. 12. P. 2587—2605. DOI: 10.1063/1.1728359
12. Müller G. Crystal growth from the melt. Ser. Crystals. V. 12. Berlin; Heidelberg: Springer-Verlag, 1988. 138 p. DOI: 10.1007/978-3-642-73208-9
13. Jackson K. A. Actual concepts of interface kinetics. In book: Crystal Growth - From Fundamentals to Technology. Amsterdam: Elsevier, 2004. P. 27—53. DOI: 10.1016/B978-044451386-1/50004-0
14. Trempa M., Reimann C., Friedrich J., Müller G., Oriwol D. Mono-crystalline growth in directional solidification of silicon with different orientation and splitting of seed crystals // J. Crystal Growth. 2012. V. 351, Iss. 1. P. 131—140. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.04.035
15. Gong L., Wang F., Cai Q., You D., Dai B. Characterization of defects in mono-like silicon wafers and their effects on solar cell efficiency // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2014. V. 120, Pt. A. P. 289—294. DOI: 10.1016/j.solmat.2013.09.020
16. Amaral de Oliveira V., Tsoutsouva M., Lafford T., Pihan E., Barou F., Cayron C., Camel D. Sub-grain boundaries sources and effects in large mono-like silicon ingots for PV // 29th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. Amsterdam (Netherlands), 2014. P. 793—797. DOI: 10.4229/EUPVSEC20142014-2AV.1.52
17. Ervik T., Stokkan G., Buonassisi T., Mjøs Ø., Lohne O. Dislocation formation in seeds for quasi-monocrystalline silicon for solar cells // Acta Mater. 2014. V. 67. P. 199—206. DOI: 10.1016/j.actamat.2013.12.010
18. Gallien B. Contraintes thermomécaniques et dislocations dans les lingots de silicium pour applications photovoltaïque. PhD Thesis. Grenoble (France): Université de Grenoble, 2014.
19. Бетекбаев А. А., Мукашев Б. Н., Pelissier L., Lay P., Fortin G., Bounaas L., Скаков Д. М., Калыгулов Д. А., Турмагамбетов Т. С., Ли В. В. Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния полученного по технологии moonlike // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50, Вып. 8. С. 1106—1112.
Рецензия
Для цитирования:
Бетекбаев А.А., Мукашев Б.Н., Pelissier L., Lay P., Fortin G., Bounaas L., Скаков Д.М., Калыгулов Д.А., Павлов А.А., Турмагамбетов Т.С., Ли В.В. Выращивание из поликристаллического кремния солнечного качества квазимонокристаллических (mono-like) слитков методом направленной кристаллизации. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2017;20(3):194-205. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-3-194-205
For citation:
Betekbaev A.A., Mukashev B.N., Pelissier L., Lay P., Fortin G., Bounaa L., Skakov D.M., Kalygulov D.A., Pavlov A.A., Turmagambetov T.S., Lee V.V. Monolike ingot growth by directional solidification of Solar Grade silicon. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2017;20(3):194-205. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-3-194-205