Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора

https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-

Аннотация

В работе показано, что эффект зарядовой связи между затворами КНИ МОП полевых транзисторов наблюдается и в двухзатворных транзисторных магниточувствительных элементах холловского типа c толщиной пленки кремния порядка 200 нм. Определено, что в таких чувствительных элементах, функционирующих в режиме обогащения электронами вблизи интерфейсов Si-SiO2, эффект зарядовой связи позволяет повысить магнитную чувствительность.

Об авторах

А. В. Леонов
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Россия

142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6

Леонов Алексей Владимирович, к.ф.-м.н., научный сотрудник



В. Н. Мурашев
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

Мурашев Виктор Николаевич, д.т.н., профессор



Д. Н. Иванов
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

Иванов Дмитрий Николаевич, аспирант



В. Д. Кирилов
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия


Список литературы

1. O.V. Naumova, B.I. Fomin, L.N. Safronov, D.A. Nasimov, M.A. Ilnitskii, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 45 (4), 287 (2009).

2. O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. Semocond. Sci. Technol., 25, 055 004 (2010).

3. N. Elfstr¨om, R. Juhasz, I. Sychugov, T. Engfeldt, A. Eriksson Karlstr¨om, J. Linnros. Nano Lett., 7 (9), 2608 (2007).

4. H.K. Lim, J.G. Fossum. IEEE Trans. Electron Dev., 30 (10), 1244 (1983).

5. J.-P. Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, 3-rd ed. it. (Boston, Kluwer, 2004).

6. T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko. Semicond. Physics, Quant. Electron & Optoelectron., 16 (3), 300 (2013).

7. В.П. Попов, М.А. Ильницкий, О.В. Наумова, А.Н. Назаров. ФТП, 48 (10), 1348 (2014).

8. Мордкович В.Н., Бараночников М.Л., Леонов А.В, Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М. Полевой датчик холла – новый тип преобразователя магнитного поля // Датчики и системы. – 2003.– Вып. 7. – С. 33–38.

9. Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Радиационные эффекты в КНИ магниточувствительных элементах при различных условиях облучения» // Научно-технический сборник. Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость –2000», – 2000. – Вып. 3. – С. 38-42.

10. Мордкович В.Н. Структуры «кремний на изоляторе» перспективный материал микроэлектроники // Материалы электронной техники. 1998. №2. С.4 – 7.

11. Наумова О. В., Зайцева Э. Г., Фомин Б. И., Ильницкий М. А., Попов В. П., Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 10. C 1360–1365.

12. Popovic R. S. Hall effect devices. Second edition. CRC Press, 2003. P. 412.

13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. 2-е изд. М.: Мир, 1984, 453 с.


Для цитирования:


Леонов А.В., Мурашев В.Н., Иванов Д.Н., Кирилов В.Д. Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(1). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-

Просмотров: 127


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)