Для цитирования:

Леонов А.В., Мурашев В.Н., Иванов Д.Н., Кирилов В.Д. Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(1):57-62. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-57-62

For citation:

Leonov A.V., Murashev V.N., Ivanov D.N., Kirilov V.D. Charge-coupling effect in a Hall field element based on thin-film SOI-MOS transistor. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2021;24(1):57-62. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-57-62