Для цитирования:

Енишерлова К.Л., Сейдман Л.А., Темпер Э.М., Концевой Ю.А. Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(2):107-118. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-107-118

For citation:

Еnisherlova K.L., Seidman L.A., Temper E.T., Kontsevoy Yu.A. Influence of PECVD features of SiNx deposition processes on electrical parameters of SiNx/AlGaN/GaN structures. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2021;24(2):107-118. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-107-118