НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-24-27

Полный текст:


Аннотация

Поликристаллические пленки 3C−SiC на кремнии выращены методом CVD путем термического разложения метилтрихлорсилана в водороде при температуре 1000—1250 °С. Определены условия проведения процесса, при которых получены однородные с зеркальной поверхностью слои 3C−SiC с хорошей адгезией. Методом рентгеновской топографии исследована дефектная структура подложки монокристаллического кремния с нанесенной пленкой 3C−SiC. Установлено, что на всех проекционных топограммах контраст от упругих напряжений в точности повторяет морфологию пленки. Приповерхностные поля упругих напряжений в подложке уменьшаются по мере повышения температуры выращивания пленки 3C−SiC. Показано, что гетероструктура 3C−SiC очень чувствительна к термообработке.


Об авторах

Т. М. Ткачева
МАДИ
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент, кафедра физики, МАДИ, 125319, г. Москва,
Ленинградский просп., д. 64



Л. М. Иванова
НИЦ «Курчатовский институт»
Россия

кандидат хим. наук, начальник группы, НИЦ «Курчатовский институт», 123182, г. Москва, пл. акад. Курчатова, д. 1.



К. Д. Демаков
НИЦ «Курчатовский институт»
Россия

кандидат техн. наук, ведущий научный сотрудник, НИЦ «Курчатовский
институт», 123182, г. Москва, пл. акад. Курчатова, д. 1.



М. Н. Шахов
МАДИ
Россия

инженер 2 кат., НИЦ «Курчатовский институт», 123182, г. Москва, пл. акад. Курчатова, д. 1



Список литературы

1. Орлов, Л. К. Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии / Л. К. Орлов, Э. А. Штейнман, Т. Н. Смыслова, Н. Л. Ивина, А. Н. Терещенко // ФТТ. − 2012. − Т. 54, вып. 4. − С. 666—672.

2. Иванова, Л. М. Получение поликристаллического карбида кремния термическим разложением метилтрихлорсилана / Л. М. Иванова, А. А. Плетюшкин // Карбид кремния. − Киев : Наукова Думка, 1966. − C. 151—156.

3. Александров, П. А. Получение и структурные исследования нанокомпозита на основе 3C–SiC / П. А. Александров, Н. Е. Белова, К. Д. Демаков, Л. М. Иванова, Ю. Ю. Кузнецов, Н. В. Степанов, С. Г. Шемардов // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Термоядерный синтез. − 2007. − Вып. 1. − С. 68—75.

4. Иванова, Л. М. Получение тонких пленок кубического карбида кремния термическим разложением метилтрихлорсилана в водороде / Л. М. Иванова, П. А. Александров, К. Д. Демаков, В. А. Старостин, С. Г. Шемардов // Неорганич. материалы. − 2005. − Т. 41, № 3. − С. 297—300.

5. Новикова, С. Н. Тепловое расширение твердых тел / С. Н. Новикова. − М. : Наука, 1974. − 228 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Ткачева Т.М., Иванова Л.М., Демаков К.Д., Шахов М.Н. НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):24-27. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-24-27

For citation: Tkacheva T.M., Ivanova L.M., Demakov K.D., Shakhov M.N. Stress and Adhesion of CVD Grown Polycrystalline 3C–SiC Films on Silicon Substrates. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):24-27. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-24-27

Просмотров: 268

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)