Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Алёшин А.Н., Рубан О.А. Активационные процессы при работе ионного мемристора Ag/SnSe/Ge2Se3/W с самоформирующимся токопроводящим каналом. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2023;26(4):290-299. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202308.550. EDN: RDDACG

For citation:


Aleshin A.N., Ruban O.A. Activation processes during operation of an Ag/SnSe/Ge2Se3/W ion memristor with a self-directed current-conducting channel. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2023;26(4):290-299. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202308.550. EDN: RDDACG



Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)