Investigation of Sheet Resistance Distribution of Ti, Al, Ni, Cr and Au Metal Films on Silicon Substrates
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-33-37
Abstract
Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates by thermal evaporation technique. The film thickness and sheet resistance distributions have been measured. We show that the increase in the sheet resistance towards the substrate edge occurs due to both a decrease in the film thickness and an increase in the metal resistivity.
About the Authors
K. D. Vaniukhin
IFYAE NIYAU MIFI
Russian Federation
Russian Federation
S. P. Kobeleva
National University of Science and Technology MISiS
Russian Federation
Russian Federation
Yu. A. Konzcevoy
FGUP NPP Pulsar
Russian Federation
Russian Federation
V. A. Kurmatshev
FGUP NPP Pulsar
Russian Federation
Russian Federation
L. A. Seidman
IFYAE NIYAU MIFI
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Куэй, Р. Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй.− М. : Техносфера, 2011. − 592 с.
2. Васильев, А. Г. СВЧ−приборы и устройства на широкозонных полупроводниках / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой − М. : Техносфера, 2011. − 416 с.
3. Васильев, А. Г. СВЧ−транзисторы на широкозонных полупроводниках : учеб. пособие / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой − М. : Техносфера, 2011. − 256 с.
4. Кобелева, С. П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния / С. П. Кобелева // Заводская лаборатория. − 2007. − № 1. − С. 60—67.
5. Физические величины : справочник / Под. ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. − М. : Энергоатомиздат, 1991. − 1232 с.
6. Технология тонких пленок : справочник / под ред.Л. Майссела, Р. Глэнга. − М. : Советское радио, 1977. − Т. 2. −662 с.
Review
For citations:
Vaniukhin K.D., Kobeleva S.P., Konzcevoy Yu.A., Kurmatshev V.A., Seidman L.A. Investigation of Sheet Resistance Distribution of Ti, Al, Ni, Cr and Au Metal Films on Silicon Substrates. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):33-37. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-33-37
Views:
932
Email this article 