ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-37-40
Аннотация
Исследовано получение и изучены электрофизические свойства AuxTi100−x—nSi (где х = 10, 36, 87) и PbxSb100−x—nSi (где х = 52, 70, 87) диодов Шотки. Установлено, что пленки сплавов Au36Ti64 и Pb52Sb48 имеют аморфную структуру, а остальные пленки — поликристаллическую. Определена высота барьера диодов Шотки в зависимости от состава и структуры пленок металла. Выявлено, что электрофизические свойства AuxTi100−x—nS и PbxSb100−x—nSi диодов Шотки зависят от состава и структуры пленок металла.
Об авторе
И. Г. Пашаев
Бакинский государственный университет, Азербайджанская Республика
Азербайджан
Азербайджан
кандидат физ.−мат. наук, доцент кафедры физической электроники, Бакинский
государственный университет, AZ1148, Азербайджанская Республика, г. Баку, ул. Акад. Захида Халилова, д. 23
Список литературы
1. Kung, K. T. Y. Elektrikal charakteristics of amorphorus molyubdenum−nickel contacts to Si / K. T. Y. Kung, I. Suni, M. A. Nikolet // J. Appl. Phys. − 1984. − V. 55, N 10. − P. 3882—3884.
2. Пашаев, И. Г. Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки / И. Г. Пашаев //ФТП. − 2012. − Т. 46, вып. 8.− С. 1108—1110.
3. Wickenden, D. K. Amorphous metal−semiconductor contacts for high temperature electronics−II / D. K. Wickenden, M. J. Sisson // Solid state electron. − 1984. − V. 27, N 6. − P. 515—518.
4. Крылов, П. Н. Влияние термополевой ионизации на формирование барьера Шотки металл—<аморфный кремний> / П. Н. Крылов // ФТП. − 2000. − Т. 34, вып. 3. − С. 306—309.
5. Pashaev, I. G. ElektronysikalL properties of schottky diodes made on the basis of silikon wtth amorphous and polycrystalline metal alloy at low direct voltage / I. G. Pashaev // Internat. J. Technical and Physical Problems of Engineering. − 2012. − Iss. 10. − V. 4, N 1. − P. 41—44.
6. Валиев, К. А. Применение контакта металл—полу проводник в электронике / К. А. Валиев, Ю. И. Пашинцев, Г. В. Петров − М. : Советское радио, 1981. − 364 с.
7. Критская, Т. В. Влияние различных обработок на свойства контакта кремний − аморфный металлический сплав / Т. В. Критская, И. Г. Пашаев, И. А. Абузеров // VI Междунар. научн.−практ. конф. «Современные проблемы и достижения в области радиотехники, телекоммуникаций и информационных технологий». − Запорожье, 2012. − С. 332—333.
8. Аскеров, Ш. Г. Влияние толшины металлических пленок на свойства диодов Шотки / Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Ш. С. Асланов, Э. Г. Шаулова // Электронная техника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. − 1986. − Вып. 1. − С. 74—76.
9. Бандеренко, В. Б. Естественные неоднородности высоты барьера Шотки / В. Б. Бандеренко, Ю. А. Кудинов, С. Г. Ершов, В. В. Кораблев // ФТП. − 1998. − Т. 32, № 5. − С. 554—556.
10. Тез. докл. 1−й и 2−й Всесоюз. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». − Кишинев, 1982. − Ч. 1 и 2. : 1986. − С. 141—165.
11. Аскеров, Ш. Г. Влияние микроструктуры поверхности металла на омические свойства контакта металл−полупроводник / Ш. Г. Аскеров // ПЖТФ. − 1977. − Т. 3, № 18. − С. 968—970.
12. Торхов, Н. А. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл−полупроводник с барьером Шотки / Н. А. Торхов // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 6. − С. 767—774.
13. Абдулаев, Г. Б. Некоторые вопросы физики электронно−дырочных переходов / Г. Б. Абдулаев, З. А. Искендерзаде − Баку: Элм, 1971. − С. 114.
14. Судзуки, К. Аморфные металлы / К. Судзуки, Х. Фудзумори, К. Хасимов − М. : Металлургия, 1987. − С. 328.
15. Гинье, А. Рентгенография кристаллов / А. Гинье − М., 1963. − С. 600.
Рецензия
Для цитирования:
Пашаев И.Г. ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):37-40. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-37-40
For citation:
Pashayev I.G. Study of Electrical Properties of Schottky Diodes Fabricated on Silicon with Different Metal Layers. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):37-40. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-37-40
Просмотров:
796
Послать статью по эл. почте 