Полноэкранный режим

Для цитирования: Пашаев И.Г. ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):37-40. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-37-40

For citation: Pashayev I.G. Study of Electrical Properties of Schottky Diodes Fabricated on Silicon with Different Metal Layers. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):37-40. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-37-40

Просмотров: 230

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)