Для цитирования:
Комаровский Н.Ю., Пархоменко Ю.Н., Молодцова Е.В., Журавлёв Е.О., Чупраков В.А., Козлов Р.Ю., Князев С.Н., Белов А.Г. Физические и технологические причины возникновения канальной неоднородности в монокристаллах InSb, сильнолегированных Te. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2024;27(1):85-95. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202312.571
For citation:
Komarovskiy N.Yu., Parkhomenko Yu.N., Molodtsova E.V., Zhuravlev E.O., Chuprakov V.A., Kozlov R.Yu., Knyazev S.N., Belov A.G. Physical and technological causes of channel inhomogeneity in InSb single crystals heavily doped with Te. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2024;27(1):85-95. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202312.571
Послать статью по эл. почте 