Study of Electrical Properties of Schottky Diodes Fabricated on Silicon with Different Metal Layers
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-37-40
Abstract
We have investigated the fabrication of AuxTi100−x—nSi (where x is 10; 36; 87) and PbxSb100−x—nSi (where x = 52; 70; 87) Schottky diodes and the electrical properties of AuxTi100−x—nSi (where x = 10; 36; 87) and PbxSb100−x—nSi (where x = 52; 70; 87)Schottky diodes. The Au36Ti64, Pb52Sb48 alloy film has an amorphous structure, while the other films are polycrystalline. We have determined Schottky barrier height depending
on the composition and structure of the metal films and found that the barrier height is quite sensitive to the composition of the metal alloy. We show that the electrical properties of the AuxTi100−x—nS and PbxSb100−x—nSi Schottky diodes depend on the composition and structure of the metal films.
References
1. Kung, K. T. Y. Elektrikal charakteristics of amorphorus molyubdenum−nickel contacts to Si / K. T. Y. Kung, I. Suni, M. A. Nikolet // J. Appl. Phys. − 1984. − V. 55, N 10. − P. 3882—3884.
2. Пашаев, И. Г. Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки / И. Г. Пашаев //ФТП. − 2012. − Т. 46, вып. 8.− С. 1108—1110.
3. Wickenden, D. K. Amorphous metal−semiconductor contacts for high temperature electronics−II / D. K. Wickenden, M. J. Sisson // Solid state electron. − 1984. − V. 27, N 6. − P. 515—518.
4. Крылов, П. Н. Влияние термополевой ионизации на формирование барьера Шотки металл—<аморфный кремний> / П. Н. Крылов // ФТП. − 2000. − Т. 34, вып. 3. − С. 306—309.
5. Pashaev, I. G. ElektronysikalL properties of schottky diodes made on the basis of silikon wtth amorphous and polycrystalline metal alloy at low direct voltage / I. G. Pashaev // Internat. J. Technical and Physical Problems of Engineering. − 2012. − Iss. 10. − V. 4, N 1. − P. 41—44.
6. Валиев, К. А. Применение контакта металл—полу проводник в электронике / К. А. Валиев, Ю. И. Пашинцев, Г. В. Петров − М. : Советское радио, 1981. − 364 с.
7. Критская, Т. В. Влияние различных обработок на свойства контакта кремний − аморфный металлический сплав / Т. В. Критская, И. Г. Пашаев, И. А. Абузеров // VI Междунар. научн.−практ. конф. «Современные проблемы и достижения в области радиотехники, телекоммуникаций и информационных технологий». − Запорожье, 2012. − С. 332—333.
8. Аскеров, Ш. Г. Влияние толшины металлических пленок на свойства диодов Шотки / Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Ш. С. Асланов, Э. Г. Шаулова // Электронная техника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. − 1986. − Вып. 1. − С. 74—76.
9. Бандеренко, В. Б. Естественные неоднородности высоты барьера Шотки / В. Б. Бандеренко, Ю. А. Кудинов, С. Г. Ершов, В. В. Кораблев // ФТП. − 1998. − Т. 32, № 5. − С. 554—556.
10. Тез. докл. 1−й и 2−й Всесоюз. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». − Кишинев, 1982. − Ч. 1 и 2. : 1986. − С. 141—165.
11. Аскеров, Ш. Г. Влияние микроструктуры поверхности металла на омические свойства контакта металл−полупроводник / Ш. Г. Аскеров // ПЖТФ. − 1977. − Т. 3, № 18. − С. 968—970.
12. Торхов, Н. А. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл−полупроводник с барьером Шотки / Н. А. Торхов // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 6. − С. 767—774.
13. Абдулаев, Г. Б. Некоторые вопросы физики электронно−дырочных переходов / Г. Б. Абдулаев, З. А. Искендерзаде − Баку: Элм, 1971. − С. 114.
14. Судзуки, К. Аморфные металлы / К. Судзуки, Х. Фудзумори, К. Хасимов − М. : Металлургия, 1987. − С. 328.
15. Гинье, А. Рентгенография кристаллов / А. Гинье − М., 1963. − С. 600.
Review
For citations:
Pashayev I.G. Study of Electrical Properties of Schottky Diodes Fabricated on Silicon with Different Metal Layers. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):37-40. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-37-40
Views:
805
Email this article 