НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-45-48
Аннотация
Представлены результаты исследований образцов наноразмерного кремния (НК), не деградирующих под действием интенсивного лазерного излучения. Показано, что значительное увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции от НК может быть связано как с особенностями их структурного строения, так и с наличием тонкого слоя SiO2 на поверхности нанокристаллов.
Об авторах
Ю. Н. Пархоменко
ОАО «Гиредмет»
Россия
Россия
доктор физ.−мат. наук, профессор, директор ОАО «Гиредмет», Москва, 119017, Б. Толмачевский пер., д. 5; зав. кафедрой НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
А. И. Белогорохов
ОАО «Гиредмет»
Россия
Россия
доктор физ.− мат. наук, профессор, зам. директора по науке и качеству, ТОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5
А. П. Блиев
ГОУ ВПО «СОГУ им. К. Л. Хетагурова»
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, профессор, первый проректор, ФГБОУ ВПО Северо−Осетинский государственный университет им. К. Л. Хетагурова, г. Владикавказ, ул. Ватутина, д. 44−46.
В. Г. Созанов
ГОУ ВПО «СОГУ им. К. Л. Хетагурова»
Россия
Россия
доктор хим. наук, профессор, ректор, ФГБОУ ВПО Северо−Осетинский государственный университет им. К. Л. Хетагурова, г. Владикавказ, ул. Ватутина, д. 44−46.
Список литературы
1. Canham, L. T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L. T. Canham // Appl. Phys. Lett. − 1990. − V. 57, N 10. − P. 1046—1048.
2. Banerjee, S. Comment on «Role of interfacial oxide−related defects in the red−light emission in porous silicon» / S. Banerjee // Phys. Rev. B. − 1995. − V. 51, N 16. − P. 11180—11182.
3. Аверкиев, Н. С. Тонкая структура красной полосы фотолюминесценции пористого кремния / Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, И. И. Марков, А. Ю. Силов, В. И. Степанов, А. В. Чурилов, Н. Е. Мокроусов // Письма в ЖЭТФ. − 1992. − Т. 55, вып. 11. − С. 657—660.
4. Delerue, C. Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon / C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo // Phys. Rev. B. − 1993. − V. 48, N 15. − P. 11024—11036.
5. Takagahara, T. Theory of the quantum confinement effect on excitons in quantum dots of indirect−gap materials / T. Takagahara, K. Takeda // Phys. Rev. B. − 1992. − V. 46. − P. 15578.
6. Belogorokhov, A. I. Enhanced photoluminescence from porous silicon formed by non−standard preparation / Belogorokhov A. I., Enderlein R., Tabata A., Leite J. R., Karavanskii V. A., Belogorokhova L. I. // Phys. Rev. B. − 1997. − V. 56, N 16. − Р. 10276—10282.
7. Ribeiro, E. Tridimension structural characterization of porous silicon by transmission electron microscopy and Raman scattering / E. Ribeiro, F. Cerdeira, O. Teschke // Solid State Communications. − 1997. − V. 101, N 5. − P. 327—331.
8. Gavrilov, S. A. / S. A. Gavrilov, I. N. Sorokin, V. A. Karavanskii, M. O. Bashkin, A. Yu. Trifonov // Mat. 10 Intern. Conf. on Thin Films. Abstracts Book. − Salamanca (Spain), 1996. − P. 85.
9. Chen, H. Passivation of porous silicon by wet thermal oxidation / H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, X. Wang // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, N 6. − P. 3282—3285.
Рецензия
Для цитирования:
Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Блиев А.П., Созанов В.Г. НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):45-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-45-48
For citation:
Parkhomenko Yu.N., Belogorokhov A.I., Bliev A.P., Sozanov V.G. Nanosized Silicon Grown with HCl : HF : C2H5OH Electrolyte. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):45-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-45-48
Просмотров:
974
Послать статью по эл. почте 