Для цитирования:
Кузнецов В.А., Протасов Д.Ю., Дмитриев Д.В., Костюченко В.Я., Рогило Д.И., Журавлев К.С. Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0,16Ga0,84As. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2025;28(1):44-54. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202407.602
For citation:
Kuznetsov V.A., Protasov D.Yu., Dmitriev D.V., Kostyuchenko V.Ya., Rogilo D.I., Zhuravlev K.S. Parameters of ohmic contacts and consideration of the influence of actual sample sizes on the field dependence of the drift velocity in In0.16Ga0.84As layers. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2025;28(1):44-54. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202407.602
Послать статью по эл. почте 