Моделирование вклада граничных эффектов в электрофизические свойства мемристивных композиций с тонкими сегнетоэлектрическими пленками
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202511.668
Аннотация
Разработана диффузионно-дрейфовая модель мемристивной композиции с тонкой сегнетоэлектрической пленкой титаната бария для проверки гипотезы о формировании и влиянии на электрофизические свойства гетероинтерфейса на границе с верхним электродом, обусловленного образованием тонкого слоя оксида кобальта, толщина которого может изменяться под действием электрического поля.
Ключевые слова
Об авторах
Е. А. РындинРоссия
ул. Профессора Попова, д. 5 литера Ф, Санкт-Петербург, 197022
Рындин Евгений Адальбертович — доктор техн. наук, проф., кафедра микро- и наноэлектроники
Н. В. Андреева
Россия
ул. Профессора Попова, д. 5 литера Ф, Санкт-Петербург, 197022
Андреева Наталья Владимировна — доктор физ.-мат. наук, проф., кафедра микро- и наноэлектроники
А. Е. Петухов
Россия
Университетская наб., д. 7-9, Санкт-Петербург, 199034
Петухов Анатолий Евгеньевич — ведущий специалист
Рецензия
Для цитирования:
Рындин Е.А., Андреева Н.В., Петухов А.Е. Моделирование вклада граничных эффектов в электрофизические свойства мемристивных композиций с тонкими сегнетоэлектрическими пленками. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2025;28(4). https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202511.668
JATS XML
Послать статью по эл. почте 