Моделирование вклада граничных эффектов в электрофизические свойства мемристивных композиций с тонкими сегнетоэлектрическими пленками

doi:10.17073/1609-3577j.met202511.668

Моделирование вклада граничных эффектов в электрофизические свойства мемристивных композиций с тонкими сегнетоэлектрическими пленками

Е. Рындин, Н. Андреева, А. Петухов

https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202511.668

Abstract

Разработана диффузионно-дрейфовая модель мемристивной композиции с тонкой сегнетоэлектрической пленкой титаната бария для проверки гипотезы о формировании и влиянии на электрофизические свойства гетероинтерфейса на границе с верхним электродом, обусловленного образованием тонкого слоя оксида кобальта, толщина которого может изменяться под действием электрического поля.

Keywords

сегнетоэлектрический мемристор, тонкие сегнетоэлектрические пленки, гетеропереход, диффузионно-дрейфовая модель

About the Authors

Е. Рындин

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Russian Federation

Н. Андреева

А. Петухов

Санкт-Петербургский государственный университет
Russian Federation

Review

For citations:

, , . Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2025;28(4). https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202511.668

JATS XML