ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-65-66

Полный текст:


Аннотация

Проведено комплексное исследование пористых слоев, полученных химическим травлением, определена взаимосвязь между условиями получения и свойствами пористых слоев.Предложена модель проводимости пористых слоев, аналогичная механизмам проводимости аморфного кремния. Показано, что пористый кремний, полученный химическим травлением, по своим фотолюминесцентным и светоотражающим свойствам не уступает пористым слоям, полученным электрохимическим способом.


Об авторе

Т. Ю. Белик
Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина
Украина

ассистент кафедры микроэлектроники, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина, 03056, г. Киев−56, просп. Победы, д. 37



Список литературы

1. Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. − М. : Мир, 1974. − 472 с.

2. Zettner, J. Porous silicon reflector for thin silicon solar cells / J. Zettner, H. v. Campe, M. Thönissen, R. Auer, J. Ackermann, T. Hierl, R. Brendel, M. Schulz // Proc. 2nd World Conf. and Exhibition on photovoltaic. − Luxembourg, 1998. − P. 1766—1769.

3. Bilyk, T. Yu. Improvement of silicon solar cells performance by using of nanostructured silicon layer / T. Yu. Bilyk, M. M. Melnichenko, O. M. Shmyryeva, K. V. Svezhentsova // Электроника и связь. − 2010. − Т. 6, №. 2. − С. 101—105.

4. Білик, Т. Ю. Фотолюмінісценція шарів пористого кремнію отриманого хімічним способом / Т. Ю. Білик // Электроника и связь. − 2011. − № 4. − С. 45—47.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Белик Т.Ю. ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):65-66. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-65-66

For citation: Bilyk T.Y. Features of Chemically Etched Porous Silicon. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):65-66. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-65-66

Просмотров: 214

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)