Для цитирования:

Рощупкин Д.В., Емелин Е.В., Бузанов О.А. ФОРМИРОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДОМЕННЫХ СТРУКТУР В КРИСТАЛЛАХ LiTaO3 МЕТОДОМ ПРЯМОЙ ЭЛЕКТРОННО–ЛУЧЕВОЙ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(2):23-25. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-23-25

For citation:

Roshchupkin D.V., Emelin E.V., Buzanov O.A. FABRICATION OF A FERROELECTRIC DOMAIN STRUCTURE IN A LITAO3 CRYSTAL USING E-BEAM LITHOGRAPHY REPOLARIZATION. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(2):23-25. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-23-25