S. Yu. Kurin
GaN−Crystals Ltd.
Russian Federation

инженер, ООО «Галлий−Н», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5

V. D. Doronin
National Research Nuclear
Russian Federation

аспирант, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 115409, г. Москва, Каширское ш., д. 31

A. A. Antipov
GaN−Crystals Ltd.
Russian Federation

инженер, ООО «Галлий−Н», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5

B. P. Papchenko
National Research University «ITMO»
Russian Federation

научный сотрудник, Национальный исследовательский университет «ИТМО», 197101, г. Санкт−Петербург, просп. Кронверкский, д. 49

H. Helava
Nitride Crystals Inc.
Russian Federation

Ph. D., CTO, Nitride Crystals Inc., 181 E Industry Court, Suite B, Deer Park, NY 11729

M. I. Voronova
National University of Science and Technology «MISIS»
Russian Federation

научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4

A. S. Usikov
GaN−Crystals Ltd.
Russian Federation

кандидат физ.−мат. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Галлий−Н», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5

Yu. N. Makarov
GaN−Crystals Ltd. Nitride Crystals Inc.
Russian Federation

кандидат физ.−мат. наук, генеральный директор, ООО «Галлий−Н», Nitride Crystals Inc., 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5

K. V. Eidel’man
National University of Science and Technology «MISIS»
Russian Federation

аспирант, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.