ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100]


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-3-8

Полный текст:


Аннотация

Проведено исследование свойств нелегированных монокристаллов антимонида галлия  диаметром более 60 мм, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100].  Установлено, что снижение плотности дислокаций в крупногабаритных нелегированных монокристаллах антимонида галлия может быть достигнуто как с использованием известных технологических приемов в процессе выращивания, так и с помощью легирования изовалентной примесью (индием). Показано, что введение в технологический процесс выдержки при температуре, близкой к температуре кристаллизации, на стадии выхода  кристалла на диаметр в течение 1 ч и термообработки в посткристаллизационном состоянии при температуре 650 оС в течение 3 ч позволяет достичь в нелегированных монокристаллах антимонида галлия диаметром ~60 мм значения плотности дислокаций (3—5) ⋅ 103  см−2. Установлено,  что образование дислокаций в крупногабаритных монокристаллах антимонида галлия  обусловлено двумя температурными диапазонами, о чем свидетельствует различная морфоло- гия следов дислокаций. Определены значения критических напряжений образования дислокаций в интервале температур 420—690 оС. Показано, что легирование изовалентной примесью (In до концентраций  (2—4)⋅ 1018 ат/см3) приводит к существенному увеличению критических напряжений образования дислокаций и, следовательно, снижению их средней плотности до (4—5) ⋅ 102  см−2, что открывает перспективу получения крупногабаритных малодислокационных монокристаллов антимонида галлия.  

 


Об авторах

В. С. Ежлов
ОАО «Гиредмет»
Россия

кандидат техн. наук, зав. НПК−2, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1



А. Г. Мильвидская
ОАО «Гиредмет»
Россия

кандидат техн. наук, зав. лабораторией, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1



Е. В. Молодцова
ОАО «Гиредмет»
Россия

кандидат техн. наук, ведущий научный сотрудник, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1



М. В. Меженный
ОАО «Оптрон»
Россия

вед.инженер, ОАО «Оптрон», 105187, г. Москва, Щербаковская ул., д. 53



Список литературы

1. Hvostikov, V. P. Termofotoelektricheskie preobrazovateli teplovogo i koncentrirovannogo solnechnogo izlucheniya / V. P. Hvostikov, O. A. Hvostikova, P. Yu. Gazaryan, M. Z. Shvarc, V. D. Rumyancev, V. M. Andreev // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2004. − V. 38, Iss. 8. − P. 988—993.

2. Levin, R. V. Termofotopreobrazovateli na osnove antimonida galliya / R. V. Levin, B. V. Pushnyi, V. P. Hvostikov, M. N. Mizerov, V. M. Andreev // Fotonika−2008: Tez. − Novosibirsk, 2008. − P. 86.

3. Danilova, T. N. Svetodiody na osnove tverdyh rastvorov GaSb dlya srednei infrakrasnoi oblasti spektra 1,6—4,4 mkm / T. N. Danilova, V. E. Zhurtanov, A. N. Imenkov, Yu. P Yakovlev. // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2005. − V. 39, Iss. 11. − P. 1281— 1308.

4. Murti, M. R. 1.7—1.9 μm InxGa1−xAs/InyAl1−yAs light−emitting diodes lattice−mismatched grown on GaAs / M. R. Murti, B. Grietens, C. Van Hoof, G. J. Borghs // J. Appl. Phys. − 1995. − V. 78, N 1. − P. 578—580.

5. Alferov, Zh. I. Tendencii i perspektivy razvitiya solnechnoi energetiki / Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. D. Rumyancev // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2004. − V. 38, Iss. 8. − P. 937—948.

6. Mil’vidskii, M. G. Fiziko−himicheskie osnovy polucheniya razlagayushihsya poluprovodnikovyh soedinenii / M. G. Mil’vidskii, O. V. Pelevin, B. A. Saharov. − M. : Metallurgiya, 1974. − 392 p.

7. Smirnov, V. M. Sobstvennye tochechnye defekty i mikrodefekty v monokristallah antimonida galliya / V. M. Smirnov, A. A. Kalinin, V. T. Bublik, A. G. Braginskaya // Kristallografiya. − 1986. − V. 31, N 3. − P. 345—349.

8. Mezhennyi, M. V. Kriticheskie napryazheniya i temperaturnye diapazony obrazovaniya dislokacii v monokristallah fosfida indiya i antimonida galliya pri vyrashivanii iz rasplava / M. V. Mezhennyi, A. G. Braginskaya, S.S. Shifrin // Mater. 9−go sovesh. po polucheniyu profilirovannyh kristallov i izdelii sposobom Stepanova i ih primeneniyu v narodnom hozyaistve. − L., 1982. − P. 102.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Ежлов В.С., Мильвидская А.Г., Молодцова Е.В., Меженный М.В. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100]. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):13-17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-3-8

For citation: Ezhlov V.S., Milvidskaya A.G., Molodtsova E.V., Mezhennyi M.V. STRUCTURAL STUDIES OF LARGE [100]−ORIENTED CZOCHRALSKI GROWN GASB SINGLE CRYSTALS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):13-17. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-3-8

Просмотров: 202

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)